Sökning: L773:2211 2855 OR L773:2211 3282 >
Elevated thermoelec...
Elevated thermoelectric figure of merit of n-type amorphous silicon by efficient electrical doping process
-
- Banerjee, Debashree (författare)
- Uppsala universitet,Fasta tillståndets elektronik,CSIR, CEERI, Pilani 333031, Rajasthan, India.
-
- Vallin, Örjan, 1969- (författare)
- Uppsala universitet,Fasta tillståndets elektronik,Mikrostrukturlaboratoriet
-
- Kabiri Samani, Majid, 1976 (författare)
- Chalmers tekniska högskola,Chalmers University of Technology,Chalmers Univ Technol, Dept Microtechnol & Nanosci, Elect Mat Syst Lab, S-41296 Gothenburg, Sweden.
-
visa fler...
-
- Majee, Subimal, 1984- (författare)
- Uppsala universitet,Fasta tillståndets elektronik,CSIR, CEERI, Pilani 333031, Rajasthan, India.
-
- Zhang, Shi-Li (författare)
- Uppsala universitet,Fasta tillståndets elektronik
-
- Liu, Johan, 1960 (författare)
- Shanghai University,Chalmers tekniska högskola,Chalmers University of Technology,Chalmers Univ Technol, Dept Microtechnol & Nanosci, Elect Mat Syst Lab, S-41296 Gothenburg, Sweden.;Shanghai Univ, SMIT Ctr, 20 Chengzhong Rd,Box 808, Shanghai 201800, Peoples R China.
-
- Zhang, Zhi-Bin (författare)
- Uppsala universitet,Fasta tillståndets elektronik
-
visa färre...
-
(creator_code:org_t)
- Elsevier BV, 2018
- 2018
- Engelska.
-
Ingår i: Nano Energy. - : Elsevier BV. - 2211-2855 .- 2211-3282. ; 44, s. 89-94
- Relaterad länk:
-
https://doi.org/10.1...
-
visa fler...
-
https://research.cha...
-
https://urn.kb.se/re...
-
visa färre...
Abstract
Ämnesord
Stäng
- The currently dominant thermoelectric (TE) materials used in low to medium temperature range contain Tellurium that is rare and mild-toxic. Silicon is earth abundant and environment friendly, but it is characterized by a poor TE efficiency with a low figure of merit, ZT. In this work, we report that ZT of amorphous silicon (a-Si) thin films can be enhanced by 7 orders of magnitude, reaching ∼0.64 ± 0.13 at room temperature, by means of arsenic ion implantation followed by low-temperature dopant activation. The dopant introduction employed represents a highly controllable doping technique used in standard silicon technology. It is found that the significant enhancement of ZT achieved is primarily due to a significant improvement of electrical conductivity by doping without crystallization so as to maintain the thermal conductivity and Seebeck coefficient at the level determined by the amorphous state of the silicon films. Our results open up a new route towards enabling a-Si as a prominent TE material for cost-efficient and environment-friendly TE applications at room temperature.
Ämnesord
- TEKNIK OCH TEKNOLOGIER -- Materialteknik -- Keramteknik (hsv//swe)
- ENGINEERING AND TECHNOLOGY -- Materials Engineering -- Ceramics (hsv//eng)
- NATURVETENSKAP -- Kemi -- Materialkemi (hsv//swe)
- NATURAL SCIENCES -- Chemical Sciences -- Materials Chemistry (hsv//eng)
- TEKNIK OCH TEKNOLOGIER -- Materialteknik -- Annan materialteknik (hsv//swe)
- ENGINEERING AND TECHNOLOGY -- Materials Engineering -- Other Materials Engineering (hsv//eng)
- TEKNIK OCH TEKNOLOGIER -- Materialteknik (hsv//swe)
- ENGINEERING AND TECHNOLOGY -- Materials Engineering (hsv//eng)
Nyckelord
- Energy harvesting
- Thermoelectrics
- Electrical conductivity
- Electrical doping
- Amorphous silicon
Publikations- och innehållstyp
- art (ämneskategori)
- ref (ämneskategori)
Hitta via bibliotek
Till lärosätets databas
- Av författaren/redakt...
-
Banerjee, Debash ...
-
Vallin, Örjan, 1 ...
-
Kabiri Samani, M ...
-
Majee, Subimal, ...
-
Zhang, Shi-Li
-
Liu, Johan, 1960
-
visa fler...
-
Zhang, Zhi-Bin
-
visa färre...
- Om ämnet
-
- TEKNIK OCH TEKNOLOGIER
-
TEKNIK OCH TEKNO ...
-
och Materialteknik
-
och Keramteknik
-
- NATURVETENSKAP
-
NATURVETENSKAP
-
och Kemi
-
och Materialkemi
-
- TEKNIK OCH TEKNOLOGIER
-
TEKNIK OCH TEKNO ...
-
och Materialteknik
-
och Annan materialte ...
-
- TEKNIK OCH TEKNOLOGIER
-
TEKNIK OCH TEKNO ...
-
och Materialteknik
- Artiklar i publikationen
-
Nano Energy
- Av lärosätet
-
Chalmers tekniska högskola
-
Uppsala universitet