Hydrophobic low temperature wafer bonding; void formation in the oxide free interface

↓ Direkt till sidans innehåll
↓ Direkt till sidans sekundära innehåll (sidomenyn)

Sökning: WFRF:(Bengtsson Stefan 1961) > Hydrophobic low tem...

LIBRIS Formathandbok (Information om MARC21)

Fältnamn	Indikatorer	Metadata
000		02456naa a2200361 4500
001		oai:research.chalmers.se:22e59963-30b7-4145-9591-0b2615d1baca
003		SwePub
008		171007s2003 \| \|\|\|\|\|\|\|\|\|\|\|000 \|\|eng\|
024	7	a https://research.chalmers.se/publication/177982 URI
040		a (SwePub)cth
041		a engb eng
042		9 SwePub
072	7	a kon2 swepub-publicationtype
072	7	a ref2 swepub-contenttype
100	1	a Amirfeiz, Petra,d 1973u Chalmers tekniska högskola,Chalmers University of Technology4 aut
245	1 0	a Hydrophobic low temperature wafer bonding; void formation in the oxide free interface
264	1	c 2003
520		a The objective is to investigate plasma assisted bonding processes having the potential of forming oxide-free bonded interfaces. Spontaneous low temperature hydrophobic bonding was achieved using a plasma-assisted technique. High surface energy was obtained when bonding two silicon wafers after argon plasma treatment and a subsequent dip in concentrated HF. In contrast hydrogen plasma caused bonding problems while a mix of hydrogen and nitrogen improved the bondability. A particular interest is directed toward the generation of voids as a consequence of storage at room temperature or low temperature annealing. All samples suffer from void generation both after storage at room temperature and after low temperature annealing.
650	7	a TEKNIK OCH TEKNOLOGIERx Elektroteknik och elektronikx Annan elektroteknik och elektronik0 (SwePub)202992 hsv//swe
650	7	a ENGINEERING AND TECHNOLOGYx Electrical Engineering, Electronic Engineering, Information Engineeringx Other Electrical Engineering, Electronic Engineering, Information Engineering0 (SwePub)202992 hsv//eng
653		a Annealing
653		a Hydrophobicity
653		a Bonding
653		a Interfaces (materials)
653		a Interfacial energy
653		a Plasma applications
653		a Silicon wafers
653		a Hydrofluoric acid
700	1	a Sanz-Velasco, Anke,d 1971u Chalmers tekniska högskola,Chalmers University of Technology4 aut0 (Swepub:cth)ankesanz
700	1	a Bengtsson, Stefan,d 1961u Chalmers tekniska högskola,Chalmers University of Technology4 aut0 (Swepub:cth)stefanb
710	2	a Chalmers tekniska högskola4 org
773	0	t Proc. of the 7th Int. Symp. on Semiconductor Wafer Bondingg 19, s. 267-q 19<267-
856	4 8	u https://research.chalmers.se/publication/17798

Till lärosätets databas

Hitta mer i SwePub

Av författaren/redakt...: Amirfeiz, Petra, ...; Sanz-Velasco, An ...; Bengtsson, Stefa ...

Om ämnet

TEKNIK OCH TEKNOLOGIER: TEKNIK OCH TEKNO ...; och Elektroteknik oc ...; och Annan elektrotek ...

Artiklar i publikationen: Proc. of the 7th ...

Av lärosätet: Chalmers tekniska högskola

Sök utanför SwePub

Sök vidare i:: Google; Google Book Search; Google Scholar

Kungliga biblioteket hanterar dina personuppgifter i enlighet med EU:s dataskyddsförordning (2018), GDPR. Läs mer om hur det funkar här.
Så här hanterar KB dina uppgifter vid användning av denna tjänst.

LIBRIS.kb.se