Optical bands related to dislocations in Si

Blumenau, A.T.School of Physics, University of Exeter, Exeter EX4 4QL, United Kingdom; Theoretische Physik, Universität Paderborn, 33095 Paderborn, Germany (författare)

Validerad; 2000; 20080526 (cira)
First-principles calculations are used to investigate the interaction of self-interstitial aggregates with the 90° partial dislocation in Si. We find that I4 is bound to the line with an energy of around 3 eV. The defect causes deep levels to appear in the band gap and optical transitions between these levels may account for the luminescent bands relating to plastically deformed Si.

Jones, R.School of Physics, University of Exeter, Exeter EX4 4QL, United Kingdom (författare)
Öberg, SvenLuleå tekniska universitet,Matematiska vetenskaper(Swepub:ltu)oberg (författare)
Frauenheim, T.Theoretische Physik, Universität Paderborn, 33095 Paderborn, Germany (författare)
Briddon, P.R.Department of Physics, University of Newcastle Upon Tyne, Newcastle upon Tyne NE1 7RU, United Kingdom (författare)
School of Physics, University of Exeter, Exeter EX4 4QL, United Kingdom; Theoretische Physik, Universität Paderborn, 33095 Paderborn, GermanySchool of Physics, University of Exeter, Exeter EX4 4QL, United Kingdom (creator_code:org_t)

Ingår i:Journal of Physics: IOP Publishing12:49, s. 10123-101290953-89841361-648X

Av författaren/redakt...: Blumenau, A.T.; Jones, R.; Öberg, Sven; Frauenheim, T.; Briddon, P.R.

Om ämnet

Kungliga biblioteket hanterar dina personuppgifter i enlighet med EU:s dataskyddsförordning (2018), GDPR. Läs mer om hur det funkar här.
Så här hanterar KB dina uppgifter vid användning av denna tjänst.