SwePub
Sök i LIBRIS databas

  Utökad sökning

WFRF:(Islam J. Y.)
 

Sökning: WFRF:(Islam J. Y.) > (2020-2023) > Thermal conductivit...

Thermal conductivity of AlxGa1-xN (0 <= x <= 1) epitaxial layers

Tran, Dat (författare)
Linköping University,Linköpings universitet,Halvledarmaterial,Tekniska fakulteten,C3NiT-Janzen
Delgado Carrascon, Rosalia (författare)
Linköping University,Linköpings universitet,Halvledarmaterial,Tekniska fakulteten,C3NiT-Janzen
Iwaya, Motoaki (författare)
Meijo Univ, Japan,Meijo University
visa fler...
Monemar, Bo (författare)
Lund University,Lunds universitet,Linköpings universitet,Halvledarmaterial,Tekniska fakulteten,C3NiT-Janzen,NanoLund: Centre for Nanoscience,Annan verksamhet, LTH,Lunds Tekniska Högskola,Fasta tillståndets fysik,Fysiska institutionen,Institutioner vid LTH,LTH profilområde: Nanovetenskap och halvledarteknologi,LTH profilområden,Other operations, LTH,Faculty of Engineering, LTH,Solid State Physics,Department of Physics,Departments at LTH,Faculty of Engineering, LTH,LTH Profile Area: Nanoscience and Semiconductor Technology,LTH Profile areas,Faculty of Engineering, LTH
Darakchieva, Vanya (författare)
Linköping University,Lund University,Lunds universitet,Linköpings universitet,Halvledarmaterial,Tekniska fakulteten,Lund Univ, Sweden,C3NiT-Janzen; TheMAC,NanoLund: Centre for Nanoscience,Annan verksamhet, LTH,Lunds Tekniska Högskola,Fasta tillståndets fysik,Fysiska institutionen,Institutioner vid LTH,LTH profilområde: Nanovetenskap och halvledarteknologi,LTH profilområden,Other operations, LTH,Faculty of Engineering, LTH,Solid State Physics,Department of Physics,Departments at LTH,Faculty of Engineering, LTH,LTH Profile Area: Nanoscience and Semiconductor Technology,LTH Profile areas,Faculty of Engineering, LTH
Paskov, Plamen (författare)
Linköping University,Linköpings universitet,Halvledarmaterial,Tekniska fakulteten,C3NiT-Janzen
visa färre...
 (creator_code:org_t)
American Physical Society, 2022
2022
Engelska.
Ingår i: Physical Review Materials. - : American Physical Society. - 2475-9953. ; 6:10
  • Tidskriftsartikel (refereegranskat)
Abstract Ämnesord
Stäng  
  • AlxGa1-xN ternary alloys are emerging ultrawide band gap semiconductor materials for high-power electronics applications. The heat dissipation, which mainly depends on the thermal conductivity of the constituent material in the device structures, is the key for device performance and reliability. However, the reports on the thermal conductivity of AlxGa1-xN alloys are very limited. Here, we present a comprehensive study of the thermal conductivity of AlxGa1-xN in the entire Al composition range. Thick AlxGa1-xN layers grown by metal-organic chemical vapor deposition on GaN/sapphire and GaN/SiC templates are examined. The thermal conductivity measurements are done by the transient thermoreflectance method at room temperature. The effects of the Al composition, dislocation density, Si doping, and layer thickness on the thermal conductivity of AlxGa1-xN layers are thoroughly investigated. All experimental data are fitted by the modified Callaway model within the virtual crystal approximation, and the interplay between the different phonon scattering mechanisms is analyzed and discussed.

Ämnesord

NATURVETENSKAP  -- Fysik -- Den kondenserade materiens fysik (hsv//swe)
NATURAL SCIENCES  -- Physical Sciences -- Condensed Matter Physics (hsv//eng)

Publikations- och innehållstyp

ref (ämneskategori)
art (ämneskategori)

Hitta via bibliotek

Till lärosätets databas

Sök utanför SwePub

Kungliga biblioteket hanterar dina personuppgifter i enlighet med EU:s dataskyddsförordning (2018), GDPR. Läs mer om hur det funkar här.
Så här hanterar KB dina uppgifter vid användning av denna tjänst.

 
pil uppåt Stäng

Kopiera och spara länken för att återkomma till aktuell vy