Sökning: WFRF:(Stampfer Christoph) >
Graphene field-effe...
Graphene field-effect transistors with high extrinsic fT and fmax
-
- Bonmann, Marlene, 1988 (författare)
- Chalmers tekniska högskola,Chalmers University of Technology
-
- Asad, Muhammad, 1986 (författare)
- Chalmers tekniska högskola,Chalmers University of Technology
-
- Yang, Xinxin, 1988 (författare)
- Chalmers tekniska högskola,Chalmers University of Technology
-
visa fler...
-
- Generalov, Andrey, 1987 (författare)
- Chalmers tekniska högskola,Chalmers University of Technology
-
- Vorobiev, Andrei, 1963 (författare)
- Chalmers tekniska högskola,Chalmers University of Technology
-
- Banszerus, Luca (författare)
- Rheinisch-Westfaelische Technische Hochschule Aachen,RWTH Aachen University
-
- Stampfer, Christoph (författare)
- Rheinisch-Westfaelische Technische Hochschule Aachen,RWTH Aachen University
-
Otto, Martin (författare)
-
Neumaier, Daniel (författare)
-
- Stake, Jan, 1971 (författare)
- Chalmers tekniska högskola,Chalmers University of Technology
-
visa färre...
-
(creator_code:org_t)
- 2019
- 2019
- Engelska.
-
Ingår i: IEEE Electron Device Letters. - 0741-3106 .- 1558-0563. ; 40:1, s. 131-134
- Relaterad länk:
-
https://research.cha... (primary) (free)
-
visa fler...
-
https://research.cha...
-
https://doi.org/10.1...
-
https://research.cha...
-
visa färre...
Abstract
Ämnesord
Stäng
- In this work, we report on the performance of graphene field-effect transistors (GFETs) in which the extrinsic transit frequency (fT) and maximum frequency of oscillation (fmax) showed improved scaling behavior with respect to the gate length (Lg). This improvement was achieved by the use of high-quality graphene in combination with successful optimization of the GFET technology, where extreme low source/drain contact resistances were obtained together with reduced parasitic pad capacitances. GFETs with gate lengths ranging from 0.5 μm to 2 μm have been characterized, and extrinsic fT and fmax frequencies of up to 34 GHz and 37 GHz, respectively, were obtained for GFETs with the shortest gate lengths. Simulations based on a small-signal equivalent circuit model are in good agreement with the measured data. Extrapolation predicts extrinsic fT and fmax values of approximately 100 GHz at Lg=50 nm. Further optimization of the GFET technology enables fmax values above 100 GHz, which is suitable for many millimeter wave applications.
Ämnesord
- NATURVETENSKAP -- Fysik (hsv//swe)
- NATURAL SCIENCES -- Physical Sciences (hsv//eng)
- TEKNIK OCH TEKNOLOGIER -- Elektroteknik och elektronik (hsv//swe)
- ENGINEERING AND TECHNOLOGY -- Electrical Engineering, Electronic Engineering, Information Engineering (hsv//eng)
- TEKNIK OCH TEKNOLOGIER -- Nanoteknik (hsv//swe)
- ENGINEERING AND TECHNOLOGY -- Nano-technology (hsv//eng)
Nyckelord
- field-effect transistor
- transit frequency
- maximum frequency of oscillation
- graphene
- scaling
Publikations- och innehållstyp
- art (ämneskategori)
- ref (ämneskategori)
Hitta via bibliotek
Till lärosätets databas
- Av författaren/redakt...
-
Bonmann, Marlene ...
-
Asad, Muhammad, ...
-
Yang, Xinxin, 19 ...
-
Generalov, Andre ...
-
Vorobiev, Andrei ...
-
Banszerus, Luca
-
visa fler...
-
Stampfer, Christ ...
-
Otto, Martin
-
Neumaier, Daniel
-
Stake, Jan, 1971
-
visa färre...
- Om ämnet
-
- NATURVETENSKAP
-
NATURVETENSKAP
-
och Fysik
-
- TEKNIK OCH TEKNOLOGIER
-
TEKNIK OCH TEKNO ...
-
och Elektroteknik oc ...
-
- TEKNIK OCH TEKNOLOGIER
-
TEKNIK OCH TEKNO ...
-
och Nanoteknik
- Artiklar i publikationen
-
IEEE Electron De ...
- Av lärosätet
-
Chalmers tekniska högskola