Sökning: (WFRF:(Chen C.)) conttype:(scientificother)
> (2005-2009) >
Investigation of a ...
Investigation of a GaMnN/GaN/InGaN structure for spinLED
-
- Kyrychenko, F.V. (författare)
- Department of Physics, University of Florida, Gainesville, FL, USA
-
- Stanton, C.J. (författare)
- Department of Physics, University of Florida, Gainesville, FL, USA
-
- Abernathy, C.R. (författare)
- Department of Materials Science and Engineering, University of Florida, Gainesville, FL, USA
-
visa fler...
-
- Pearton, S.J. (författare)
- Department of Materials Science and Engineering, University of Florida, Gainesville, FL, USA
-
- Ren, F. (författare)
- Department of Chemical Engineering, University of Florida, Gainesville, FL, USA
-
- Thaler, G. (författare)
- Department of Materials Science and Engineering, University of Florida, Gainesville, FL, USA
-
- Frazier, R. (författare)
- Department of Materials Science and Engineering, University of Florida, Gainesville, FL, USA
-
- Buyanova, Irina, 1960- (författare)
- Linköpings universitet,Funktionella elektroniska material,Tekniska högskolan
-
- Bergman, J. P: (författare)
- Linköpings universitet,Halvledarmaterial,Tekniska högskolan
-
- Chen, Weimin, 1959- (författare)
- Linköpings universitet,Halvledarmaterial,Tekniska högskolan
-
visa färre...
-
(creator_code:org_t)
- American Institute of Physics (AIP), 2005
- 2005
- Engelska.
-
Ingår i: 27th Int. Conf. on the Physics of Semicond,2004. - : American Institute of Physics (AIP). - 0735402574 ; , s. 1319-1320
- Relaterad länk:
-
https://urn.kb.se/re...
-
visa fler...
-
https://doi.org/10.1...
-
visa färre...
Abstract
Ämnesord
Stäng
- Theoreticaland experimental studies of GaMnN/GaN/InGaN structure for a spin LEDdevice were performed. Strong electron spin relaxation was experimentally observedin a InGaN/GaN quantum well. It is shown that thestrong spin relaxation might result from the built-in piezoelectric fieldin strained wurzite heterostructures. A five level k · pmodel was used for microscopic calculations of the structure inversionasymmetry induced spin-orbit interaction. The magnitude of this interaction isshown to be comparable with that in InGaAs/GaAs quantum structures.©2005 American Institute of Physics
Ämnesord
- NATURVETENSKAP -- Fysik -- Den kondenserade materiens fysik (hsv//swe)
- NATURAL SCIENCES -- Physical Sciences -- Condensed Matter Physics (hsv//eng)
Nyckelord
- spintronics
- NATURAL SCIENCES
- NATURVETENSKAP
- Semiconductor physics
- Halvledarfysik
Publikations- och innehållstyp
- vet (ämneskategori)
- kon (ämneskategori)
Hitta via bibliotek
Till lärosätets databas
- Av författaren/redakt...
-
Kyrychenko, F.V.
-
Stanton, C.J.
-
Abernathy, C.R.
-
Pearton, S.J.
-
Ren, F.
-
Thaler, G.
-
visa fler...
-
Frazier, R.
-
Buyanova, Irina, ...
-
Bergman, J. P
-
Chen, Weimin, 19 ...
-
visa färre...
- Om ämnet
-
- NATURVETENSKAP
-
NATURVETENSKAP
-
och Fysik
-
och Den kondenserade ...
- Artiklar i publikationen
-
27th Int. Conf. ...
- Av lärosätet
-
Linköpings universitet