SwePub
Sök i LIBRIS databas

  Utökad sökning

WFRF:(Faraz A)
 

Sökning: WFRF:(Faraz A) > Voltage- and Freque...

Voltage- and Frequency-Dependent Electrical Characteristics and Interface State Density of Ni/ZnO Schottky Diodes

Faraz, S. M. (författare)
NED Univ Engn & Technol, Pakistan
Tajwar, Z. (författare)
NED Univ Engn & Technol, Pakistan
Wahab, Qamar Ul (författare)
Linköpings universitet,Institutionen för fysik, kemi och biologi,Tekniska fakulteten
visa fler...
Ulyashin, A. (författare)
SINTEF Ind, Norway
Yakimova, Rositsa (författare)
Linköpings universitet,Halvledarmaterial,Tekniska fakulteten
visa färre...
 (creator_code:org_t)
POLISH ACAD SCIENCES INST PHYSICS, 2022
2022
Engelska.
Ingår i: Acta Physica Polonica. A. - : POLISH ACAD SCIENCES INST PHYSICS. - 0587-4246 .- 1898-794X. ; 141:2, s. 99-104
  • Tidskriftsartikel (refereegranskat)
Abstract Ämnesord
Stäng  
  • Frequency and voltage dependent electrical characteristics are reported for Ni/ZnO Schottky diodes. Schottky diodes are realized from nano-structured ZnO thin films grown by DC magnetron sputtering. Electrical characterizations are performed by current-voltage (I-V), capacitance-voltage (C-V) and conductance-voltage (G/omega-V) measurements. The diode parameters are extracted, such as barrier height (phi(B)), ideality factor (n) and carrier concentration (N-D). The diodes exhibited a non-linear rectifying behaviour with a barrier height of 0.68 eV and an ideality factor greater than unity. Charge transport mechanism and possible reasons responsible for non-idealities are investigated. The density of interface states (N-SS) below the conduction band are extracted from the measured values of I-V and C-V as a function of E-C - E-SS. From E-C- 0.51 to E-C - 0.64 eV below the conduction band edge, the interface state density N-SS is found to be in the range 1.74 x 10(12)-1.87 x 10(11) eV cm. The interface states density obtained from capacitance-frequency (C-f) characteristics varied from 0.53 x 10(12)-0.12 x 10(12) eV cm from E-C 0.82 eV to E-C 0.89 eV below the conduction band. A complete description of current transport and interface properties is important for the realization of good quality Schottky diodes and for the design and implementation of high performance electronic circuits and systems.

Ämnesord

NATURVETENSKAP  -- Kemi -- Oorganisk kemi (hsv//swe)
NATURAL SCIENCES  -- Chemical Sciences -- Inorganic Chemistry (hsv//eng)

Nyckelord

ZnO Schottky diode; Interface states; DC magnetron sputtering

Publikations- och innehållstyp

ref (ämneskategori)
art (ämneskategori)

Hitta via bibliotek

Till lärosätets databas

Hitta mer i SwePub

Av författaren/redakt...
Faraz, S. M.
Tajwar, Z.
Wahab, Qamar Ul
Ulyashin, A.
Yakimova, Rosits ...
Om ämnet
NATURVETENSKAP
NATURVETENSKAP
och Kemi
och Oorganisk kemi
Artiklar i publikationen
Acta Physica Pol ...
Av lärosätet
Linköpings universitet

Sök utanför SwePub

Kungliga biblioteket hanterar dina personuppgifter i enlighet med EU:s dataskyddsförordning (2018), GDPR. Läs mer om hur det funkar här.
Så här hanterar KB dina uppgifter vid användning av denna tjänst.

 
pil uppåt Stäng

Kopiera och spara länken för att återkomma till aktuell vy