Reduced annealing temperature for ferroelectric HZO on InAs with enhanced polarization

Persson, Anton E.O. (författare): Lund University,Lunds universitet,Institutionen för elektro- och informationsteknik,Institutioner vid LTH,Lunds Tekniska Högskola,Department of Electrical and Information Technology,Departments at LTH,Faculty of Engineering, LTH

Athle, Robin (författare): Lund University,Lunds universitet,NanoLund: Centre for Nanoscience,Annan verksamhet, LTH,Lunds Tekniska Högskola,Nanoelektronik,Forskargrupper vid Lunds universitet,Other operations, LTH,Faculty of Engineering, LTH,Nano Electronics,Lund University Research Groups

Persson, Karl Magnus (författare): Lund University,Lunds universitet,Institutionen för elektro- och informationsteknik,Institutioner vid LTH,Lunds Tekniska Högskola,Department of Electrical and Information Technology,Departments at LTH,Faculty of Engineering, LTH

Svensson, Johannes (författare): Lund University,Lunds universitet,Institutionen för elektro- och informationsteknik,Institutioner vid LTH,Lunds Tekniska Högskola,Department of Electrical and Information Technology,Departments at LTH,Faculty of Engineering, LTH

Borg, Mattias (författare): Lund University,Lunds universitet,NanoLund: Centre for Nanoscience,Annan verksamhet, LTH,Lunds Tekniska Högskola,Institutionen för elektro- och informationsteknik,Institutioner vid LTH,Other operations, LTH,Faculty of Engineering, LTH,Department of Electrical and Information Technology,Departments at LTH,Faculty of Engineering, LTH

Wernersson, Lars Erik (författare): Lund University,Lunds universitet,Institutionen för elektro- och informationsteknik,Institutioner vid LTH,Lunds Tekniska Högskola,Department of Electrical and Information Technology,Departments at LTH,Faculty of Engineering, LTH

(creator_code:org_t)

AIP Publishing, 2020
2020
Engelska.
Ingår i: Applied Physics Letters. - : AIP Publishing. - 0003-6951 .- 1077-3118. ; 116:6

Relaterad länk:: http://dx.doi.org/10... (free); visa fler...; https://aip.scitatio...; https://lup.lub.lu.s...; https://doi.org/10.1...; visa färre...

Abstract Ämnesord

Stäng

Deposition, annealing, and integration of ferroelectric Hf x Zr 1 - x O 2 (HZO) thin films on the high-mobility semiconductor InAs using atomic layer deposition are investigated. Electrical characterization reveals that the HZO films on InAs exhibit an enhanced remanent polarization compared to films formed on a reference TiN substrate, exceeding 20 μ C / cm 2 even down to an annealing temperature of 370 °C. For device applications, the thermal processes required to form the ferroelectric HZO phase must not degrade the high-κ/InAs interface. We find by evaluation of the capacitance-voltage characteristics that the electrical properties of the high-κ/InAs are not significantly degraded by the annealing process, and high-resolution transmission electron microscopy verifies a maintained sharp high-κ/InAs interface.

Av författaren/redakt...: Persson, Anton E ...; Athle, Robin; Littow, Pontus; Persson, Karl Ma ...; Svensson, Johann ...; Borg, Mattias; visa fler...; Wernersson, Lars ...; visa färre...

Om ämnet

TEKNIK OCH TEKNOLOGIER: TEKNIK OCH TEKNO ...; och Elektroteknik oc ...; och Annan elektrotek ...

Kungliga biblioteket hanterar dina personuppgifter i enlighet med EU:s dataskyddsförordning (2018), GDPR. Läs mer om hur det funkar här.
Så här hanterar KB dina uppgifter vid användning av denna tjänst.