SwePub
Sök i LIBRIS databas

  Utökad sökning

L773:0741 3106 OR L773:1558 0563
 

Sökning: L773:0741 3106 OR L773:1558 0563 > Fabrication and cha...

Fabrication and characterization of field-plated buried-gate SiC MESFETs

Andersson, Kristoffer, 1976 (författare)
Chalmers tekniska högskola,Chalmers University of Technology
Sudow, Mattias, 1980 (författare)
Chalmers tekniska högskola,Chalmers University of Technology
Nilsson, Per-Åke, 1964 (författare)
Chalmers tekniska högskola,Chalmers University of Technology
visa fler...
Sveinbjörnsson, Einar, 1964 (författare)
Chalmers tekniska högskola,Chalmers University of Technology
Hjelmgren, Hans, 1960 (författare)
Chalmers tekniska högskola,Chalmers University of Technology
Nilsson, Joakim (författare)
Telefonaktiebolaget L M Ericsson,Ericsson
Ståhl, Johan (författare)
Telefonaktiebolaget L M Ericsson,Ericsson
Zirath, Herbert, 1955 (författare)
Chalmers tekniska högskola,Chalmers University of Technology
Rorsman, Niklas, 1964 (författare)
Chalmers tekniska högskola,Chalmers University of Technology
visa färre...
 (creator_code:org_t)
2006
2006
Engelska.
Ingår i: IEEE Electron Device Letters. - 0741-3106 .- 1558-0563. ; 27:7, s. 573-575
Relaterad länk:
https://research.cha...
visa fler...
https://doi.org/10.1...
visa färre...
  • Tidskriftsartikel (refereegranskat)
Abstract Ämnesord
Stäng  
  • Silicon carbide (SiC) MESFETs were fabricated using a standard SiC MESFET structure with the application of the "buried-channel" and field-plate (FP) techniques in the process. FPs combined with a buried-gate are shown to be favorable concerning output power density and power-added efficiency (PAE), due to higher breakdown voltage and decreased output conductance. A very high power density of 7.8 W/mm was measured on-wafer at 3 GHz for a two-finger 400-/spl mu/m gate periphery SiC MESFET. The PAE for this device was 70% at class AB bias. Two-tone measurements at 3 GHz /spl plusmn/ 100 kHz indicate an optimum FP length for high linearity operation.

Ämnesord

TEKNIK OCH TEKNOLOGIER  -- Elektroteknik och elektronik -- Annan elektroteknik och elektronik (hsv//swe)
ENGINEERING AND TECHNOLOGY  -- Electrical Engineering, Electronic Engineering, Information Engineering -- Other Electrical Engineering, Electronic Engineering, Information Engineering (hsv//eng)

Nyckelord

wide band gap semiconductors
silicon compounds
microwave field effect transistors
Schottky gate field effect transistors

Publikations- och innehållstyp

art (ämneskategori)
ref (ämneskategori)

Hitta via bibliotek

Till lärosätets databas

Kungliga biblioteket hanterar dina personuppgifter i enlighet med EU:s dataskyddsförordning (2018), GDPR. Läs mer om hur det funkar här.
Så här hanterar KB dina uppgifter vid användning av denna tjänst.

 
pil uppåt Stäng

Kopiera och spara länken för att återkomma till aktuell vy