Sökning: L773:0361 5235 OR L773:1543 186X >
Epitaxially regrown...
-
Barrios, C. A.
(författare)
Epitaxially regrown GaAs/AlGaAs laser mesas with semi-insulating GaInP : Fe and GaAs : Fe
- Artikel/kapitelEngelska2001
Förlag, utgivningsår, omfång ...
Nummerbeteckningar
-
LIBRIS-ID:oai:DiVA.org:kth-20871
-
https://urn.kb.se/resolve?urn=urn:nbn:se:kth:diva-20871URI
Kompletterande språkuppgifter
-
Språk:engelska
-
Sammanfattning på:engelska
Ingår i deldatabas
Klassifikation
-
Ämneskategori:ref swepub-contenttype
-
Ämneskategori:art swepub-publicationtype
Anmärkningar
-
QC 20100525
-
Selective regrowth of semi-insulating iron-doped Ga0.51In0.49P (SI-GaInP:Fe) and SI-GaAs:Fe around GaAs/AlGaAs mesas by hydride vapor phase epitaxy (HVPE) has been achieved. A HCl based in-situ cleaning procedure has been used to remove aluminum oxide from the etched walls of the mesas. Regrowth conducted without proper cleaning results in an irregular interface with voids. Regrowth morphology aspects are also presented. Our cleaning and regrowth methods have been used for fabricating GaAs/AlGaAs buried heterostructure in-plane lasers and vertical-cavity surface-emitting lasers.
Ämnesord och genrebeteckningar
-
semi-insulating materials
-
hydride vapor phase epitaxy
-
semiconductor lasers
-
buried-heterostructure lasers
-
inp-fe
-
mocvd
Biuppslag (personer, institutioner, konferenser, titlar ...)
-
Messmer, E. R.
(författare)
-
Holmgren, M.
(författare)
-
Risberg, A.
(författare)
-
Halonen, J.
(författare)
-
Lourdudoss, SebastianKTH,Mikroelektronik och informationsteknik, IMIT(Swepub:kth)u16044fg
(författare)
-
KTHMikroelektronik och informationsteknik, IMIT
(creator_code:org_t)
Sammanhörande titlar
-
Ingår i:Journal of Electronic Materials30:8, s. 987-9910361-52351543-186X
Internetlänk
Hitta via bibliotek
Till lärosätets databas