WFRF:(Ivanov Ivan Gueorguiev 1955 )
Sökning: WFRF:(Ivanov Ivan Gueorguiev 1955 ) > Exhaustive characte...
- 11 av 48
- Föregående post
- Nästa post
- Till träfflistan
Exhaustive characterization of modified Si vacancies in 4H-SiC
-
- Davidsson, Joel, 1989- (författare)
- Linköpings universitet,Teoretisk Fysik,Tekniska fakulteten
-
- Babar, Rohit (författare)
- Linköpings universitet,Teoretisk Fysik,Tekniska fakulteten
-
- Shafizadeh, Danial (författare)
- Linköpings universitet,Halvledarmaterial,Tekniska fakulteten
- visa fler...
- visa färre...
- (creator_code:org_t)
- 2022-09-05
- 2022
- Engelska.
- Ingår i: Nanophotonics. - : Walter de Gruyter. - 2192-8606 .- 2192-8614. ; 11:20, s. 4565-4580
- Tidskriftsartikel (refereegranskat)
Abstract
Ämnesord
Stäng
- The negatively charged silicon vacancy (V-Si(-)) in silicon carbide is a well-studied point defect for quantum applications. At the same time, a closer inspection of ensemble photoluminescence and electron paramagnetic resonance measurements reveals an abundance of related but so far unidentified signals. In this study, we search for defects in 4H-SiC that explain the above magneto-optical signals in a defect database generated by automatic defect analysis and qualification (ADAQ) workflows. This search reveals only one class of atomic structures that exhibit silicon-vacancy-like properties in the data: a carbon anti-site (C-Si) within sub-nanometer distances from the silicon vacancy only slightly alters the latter without affecting the charge or spin state. Such a perturbation is energetically bound. We consider the formation of V-Si(-) + C-Si; up to 2 nm distance and report their zero phonon lines and zero field splitting values. In addition, we perform high-resolution photoluminescence experiments in the silicon vacancy region and find an abundance of lines. Comparing our computational and experimental results, several configurations show great agreement. Our work demonstrates the effectiveness of a database with high-throughput results in the search for defects in quantum applications.
Ämnesord
- NATURVETENSKAP -- Fysik -- Annan fysik (hsv//swe)
- NATURAL SCIENCES -- Physical Sciences -- Other Physics Topics (hsv//eng)
Nyckelord
- high-throughput; photoluminescence; point defects; SiC; silicon vacancy
Publikations- och innehållstyp
- ref (ämneskategori)
- art (ämneskategori)
- 11 av 48
- Föregående post
- Nästa post
- Till träfflistan
Hitta mer i SwePub
- Av författaren/redakt...
- Davidsson, Joel, ...
- Babar, Rohit
- Shafizadeh, Dani ...
- Ivanov, Ivan Gue ...
- Ivády, Viktor, 1 ...
- Armiento, Rickar ...
- visa fler...
- Abrikosov, Igor ...
- visa färre...
- Om ämnet
-
- NATURVETENSKAP
- NATURVETENSKAP
- och Fysik
- och Annan fysik
- Artiklar i publikationen
- Nanophotonics
- Av lärosätet
- Linköpings universitet
Sök utanför SwePub
- Sök vidare i:
- Google Book Search
- Google Scholar
Kungliga biblioteket hanterar dina personuppgifter i enlighet med EU:s dataskyddsförordning (2018), GDPR. Läs mer om hur det funkar här.
Så här hanterar KB dina uppgifter vid användning av denna tjänst.
- Copyright © LIBRIS - Nationella bibliotekssystem
- LIBRIS.kb.se
