Sökning: L773:0042 207X OR L773:1879 2715
> (1995-1999) >
Titanium nitride de...
Titanium nitride deposited by high rate rf hollow cathode plasma jet reactive process
-
- Barankova, Hana (författare)
- Uppsala universitet,Institutionen för materialvetenskap,Elektronik,Fasta tillståndets elektronik
-
- Bardos, Ladislav (författare)
- Uppsala universitet,Institutionen för materialvetenskap,Elektronik,Fasta tillståndets elektronik
-
- Berg, Sören (författare)
- Uppsala universitet,Elektronik,Fasta tillståndets elektronik
-
(creator_code:org_t)
- 1995
- 1995
- Engelska.
-
Ingår i: VACUUM. - 0042-207X. ; 46:12, s. 1433-1438
- Relaterad länk:
-
https://urn.kb.se/re...
Abstract
Ämnesord
Stäng
- A radio frequency hollow cathode plasma jet (RPJ or RHCPJ) with a tubular Ti nozzle as a source of metal particles was used for the reactive deposition of TiN. The results of optical emission spectroscopy (OES), temperature measurements at the active zone
Ämnesord
- TEKNIK OCH TEKNOLOGIER -- Elektroteknik och elektronik -- Annan elektroteknik och elektronik (hsv//swe)
- ENGINEERING AND TECHNOLOGY -- Electrical Engineering, Electronic Engineering, Information Engineering -- Other Electrical Engineering, Electronic Engineering, Information Engineering (hsv//eng)
Nyckelord
- Electronics
- Elektronik
Publikations- och innehållstyp
- ref (ämneskategori)
- art (ämneskategori)
Hitta via bibliotek
-
VACUUM
(Sök värdpublikationen i LIBRIS)
Till lärosätets databas