Low Temperature Photoluminescence Signature of Stacking Faults in 6H-SiC Epilayers Grown on Low Angle Off-axis Substrates

Sun, JianwuLinköpings universitet,Halvledarmaterial,Tekniska högskolan (författare)

The radiative recombination spectra of 6H-SiC epilayers grown on low angle (1.4° off-axis) substrates have been investigated by low temperature photoluminescence spectroscopy. Four different types of stacking faults have been identified, together with the presence of 3C-SiC inclusions. From the energy of the momentum-conserving phonons, four excitonic band gap energies have been found with Egx equal to 2.837, 2.698, 2.600 and 2.525 eV. These photoluminescence features, which give a rapid and non-destructive approach to identify stacking faults in 6H-SiC, provide a direct feedback to improve the material growth.

Robert, T.Université Montpellier 2, France (författare)
Jokubavicius, ValdasLinköpings universitet,Halvledarmaterial,Tekniska högskolan(Swepub:liu)valjo12 (författare)
Juillaguet, S.Université Montpellier 2, France (författare)
Yakimova, RositzaLinköpings universitet,Halvledarmaterial,Tekniska högskolan(Swepub:liu)rosia15 (författare)
Syväjärvi, MikaelLinköpings universitet,Halvledarmaterial,Tekniska högskolan(Swepub:liu)miksy08 (författare)
Camassel, J.CNRS, Laboratoire Charles Coulomb, Montpellier, France (författare)
Linköpings universitetHalvledarmaterial (creator_code:org_t)

Av författaren/redakt...: Sun, Jianwu; Robert, T.; Jokubavicius, Va ...; Juillaguet, S.; Yakimova, Rositz ...; Syväjärvi, Mikae ...; visa fler...; Camassel, J.; visa färre...

Kungliga biblioteket hanterar dina personuppgifter i enlighet med EU:s dataskyddsförordning (2018), GDPR. Läs mer om hur det funkar här.
Så här hanterar KB dina uppgifter vid användning av denna tjänst.