Sökning: L773:0361 5235 OR L773:1543 186X
> (2000-2004) >
Hydride vapor-phase...
Hydride vapor-phase epitaxial GaN thick films for quasi-substrate applications : Strain distribution and wafer bending
-
- Paskova, Tanja (författare)
- Linköpings universitet,Tekniska högskolan,Institutionen för fysik, kemi och biologi
-
- Darakchieva, Vanya (författare)
- Linköpings universitet,Tekniska högskolan,Halvledarmaterial
-
Valcheva, E (författare)
-
visa fler...
-
- Paskov, Plamen (författare)
- Linköpings universitet,Tekniska högskolan,Halvledarmaterial
-
- Ivanov, Ivan Gueorguiev (författare)
- Linköpings universitet,Tekniska högskolan,Halvledarmaterial
-
- Monemar, Bo (författare)
- Linköpings universitet,Tekniska högskolan,Halvledarmaterial
-
Bottcher, T (författare)
-
Roder, C (författare)
-
Hommel, D (författare)
-
visa färre...
-
(creator_code:org_t)
- 2004
- 2004
- Engelska.
-
Ingår i: Journal of Electronic Materials. - 0361-5235 .- 1543-186X. ; 33:5, s. 389-394
- Relaterad länk:
-
https://urn.kb.se/re...
Abstract
Ämnesord
Stäng
- The strain distribution in thick hydride vapor-phase epitaxial (HVPE)-GaN layers grown on metal-organic vapor-phase epitaxial GaN templates was studied by means of photoluminescence, x-ray mapping, and lattice parameter analysis. A variable temperature x-ray study of the film curvature was used for verification of the strain type. The relation between the strain inhomogeneity and the wafer bending in films residing on sapphire and freestanding on the thickness of the layer and the substrate is analyzed. Possibilities to improve the uniformity of the film characteristics and to reduce the bending of the HVPE-GaN films are discussed.
Nyckelord
- GaN
- HVPE
- strain
- wafer bending
- TECHNOLOGY
- TEKNIKVETENSKAP
Publikations- och innehållstyp
- ref (ämneskategori)
- art (ämneskategori)
Hitta via bibliotek
Till lärosätets databas