Electrical properties of n-Zn0.94Cd0.06O/p-SiC heterostructures

We report the low-temperature (250 °C) fabrication of n-ZnCdO/p-SiC heterostructures by direct current magnetron sputtering (DC MS) technique. As-grown heterostructures exhibit diode characteristics: current–voltage measurements showed a typical rectifying characteristic of a p–n junction and the presence of series resistance. It is found that the turn-on voltage of heterostructures depends on the acceptor concentration in p-SiC. Via Cd doping of ZnO the energy barrier for holes can be lowered, which promotes the hole injection from the p-type layer to the n-type layer as well as favors the radiative recombination in the n-ZnCdO layer.

Khranovskyy, VolodymyrLinköpings universitet,Halvledarmaterial,Tekniska högskolan(Swepub:liu)volkh14 (författare)
Lashkarev, GKiev, Ukraine (författare)
Khomyak, V.Chernivtsi, Ukraine (författare)
Lazorenko, VKiev, Ukraine (författare)
Ievtushenko, AKiev, Ukraine (författare)
Syväjärvi, MikaelLinköpings universitet,Halvledarmaterial,Tekniska högskolan(Swepub:liu)miksy08 (författare)
Jokubavicius, ValdasLinköpings universitet,Tunnfilmsfysik,Tekniska högskolan(Swepub:liu)valjo12 (författare)
Yakimova, RositsaLinköpings universitet,Halvledarmaterial,Tekniska högskolan(Swepub:liu)rosia15 (författare)
Kiev, UkraineHalvledarmaterial (creator_code:org_t)

Av författaren/redakt...: Shtepliuk, I; Khranovskyy, Vol ...; Lashkarev, G; Khomyak, V.; Lazorenko, V; Ievtushenko, A; visa fler...; Syväjärvi, Mikae ...; Jokubavicius, Va ...; Yakimova, Rosits ...; visa färre...

Kungliga biblioteket hanterar dina personuppgifter i enlighet med EU:s dataskyddsförordning (2018), GDPR. Läs mer om hur det funkar här.
Så här hanterar KB dina uppgifter vid användning av denna tjänst.