WFRF:(Rorsman N.)
Sökning: WFRF:(Rorsman N.) > A comparison betwee...
- 13 av 31
- Föregående post
- Nästa post
- Till träfflistan
A comparison between physical simulations and experimental results in 4H-SiC MESFETs with non-constant doping in the channel and buffer layers
-
- Eriksson, J. (författare)
- Department of Microelectronics, Chalmers University of Technology
-
- Rorsman, N. (författare)
- Department of Microelectronics, Chalmers University of Technology
-
- Zirath, H. (författare)
- Department of Microelectronics, Chalmers University of Technology
- visa fler...
- visa färre...
- (creator_code:org_t)
- Stafa-Zurich, Switzerland : Trans Tech Publications Inc. 2001
- 2001
- Engelska.
- Ingår i: Maretials Science Forum Vols. 353-356. - Stafa-Zurich, Switzerland : Trans Tech Publications Inc.. ; , s. 699-702
- Konferensbidrag (refereegranskat)
Abstract
Ämnesord
Stäng
- The performance of SiC MESFETs, fabricated on a structure with non-constant doping-profiles in the channel and buffer layers have been studied. A good correspondence between experimental DC-characteristics and physical simulations was obtained, when using the doping profiles from SIMS measurements.
Nyckelord
- NATURAL SCIENCES
- NATURVETENSKAP
Publikations- och innehållstyp
- ref (ämneskategori)
- kon (ämneskategori)
Till lärosätets databas
- 13 av 31
- Föregående post
- Nästa post
- Till träfflistan
Hitta mer i SwePub
- Av författaren/redakt...
- Eriksson, J.
- Rorsman, N.
- Zirath, H.
- Jonsson, Rolf
- Wahab, Qamar
- Rudner, Staffan
- Artiklar i publikationen
- Maretials Scienc ...
- Av lärosätet
- Linköpings universitet
Sök utanför SwePub
- Sök vidare i:
- Google Book Search
- Google Scholar
Kungliga biblioteket hanterar dina personuppgifter i enlighet med EU:s dataskyddsförordning (2018), GDPR. Läs mer om hur det funkar här.
Så här hanterar KB dina uppgifter vid användning av denna tjänst.
- Copyright © LIBRIS - Nationella bibliotekssystem
- LIBRIS.kb.se
