Donor-acceptor pair emission enhancement in mass-transport-grown GaN

Paskova, TanjaLinköpings universitet,Tekniska högskolan,Institutionen för fysik, kemi och biologi,Linköping University,Universität Bremen (författare)

A dominating donor-acceptor pair (DAP) emission at about 3.27 eV is observed in the photoluminescence and cathodoluminescence spectra of intentionally undoped mass-transport (MT)-grown GaN, while only a weak presence of the DAP emission is recorded in the as-grown hydride vapor phase epitaxial GaN. A comparative study of impurity and native defect incorporation in the as-grown and MT GaN was performed, showing a significant increase of oxygen and empty clusters involving Ga vacancy and oxygen in the MT GaN. Based on the observed results as well as on doping analysis of the structure and kinetic analysis of the emission intensities, we propose an acceptorlike complex, creating a state as a semiclassical potential well near the valence-band top due to the local tensile strain caused by the empty clusters to be responsible for the dominating behavior of the DAP emission. © 2005 American Institute of Physics.

Arnaudov, B.Faculty of Physics, Sofia University, Sofia 1164, Bulgaria,Sofijski universitet (Sveti Kliment Ohridski),Sofia University (St. Kliment Ohridski) (författare)
Paskov, PlamenLinköpings universitet,Tekniska högskolan,Halvledarmaterial,Linköping University(Swepub:liu)plapa31 (författare)
Goldys, E.M.Macquare University, Sydney, NSW 2109, Australia,Macquarie University (författare)
Hautakangas, S.Helsinki University of Technology, Espoo 02015 HUT, Finland,Aalto-Yliopisto,Aalto University (författare)
Saarinen, K.Helsinki University of Technology, Espoo 02015 HUT, Finland,Aalto-Yliopisto,Aalto University (författare)
Södervall, Ulf,1954Södervall, U., Chalmers University of Technology, S-412 96 Göteborg, Sweden,Chalmers tekniska högskola,Chalmers University of Technology(Swepub:cth)f8bus (författare)
Monemar, BoLinköpings universitet,Tekniska högskolan,Halvledarmaterial,Linköping University(Swepub:liu)bomo46 (författare)
Linköpings universitetTekniska högskolan (creator_code:org_t)

Ingår i:Journal of Applied Physics: AIP Publishing98:3, s. 033508-0021-89791089-7550

Av författaren/redakt...: Paskova, Tanja; Arnaudov, B.; Paskov, Plamen; Goldys, E.M.; Hautakangas, S.; Saarinen, K.; visa fler...; Södervall, Ulf, ...; Monemar, Bo; visa färre...

Om ämnet

Kungliga biblioteket hanterar dina personuppgifter i enlighet med EU:s dataskyddsförordning (2018), GDPR. Läs mer om hur det funkar här.
Så här hanterar KB dina uppgifter vid användning av denna tjänst.