Buried Cobalt Silicide Layers in Silicon Created by Wafer Bonding

↓ Direkt till sidans innehåll
↓ Direkt till sidans sekundära innehåll (sidomenyn)

Sökning: WFRF:(Tiensuu S.) > Buried Cobalt Silic...

LIBRIS Formathandbok (Information om MARC21)

Fältnamn	Indikatorer	Metadata
000		02642naa a2200385 4500
001		oai:DiVA.org:miun-1556
003		SwePub
008		081211s1994 \| \|\|\|\|\|\|\|\|\|\|\|000 \|\|eng\|
024	7	a https://urn.kb.se/resolve?urn=urn:nbn:se:miun:diva-15562 URI
024	7	a https://doi.org/10.1149/1.20592392 DOI
040		a (SwePub)miun
041		a engb eng
042		9 SwePub
072	7	a ref2 swepub-contenttype
072	7	a art2 swepub-publicationtype
100	1	a Ljungberg, K.4 aut
245	1 0	a Buried Cobalt Silicide Layers in Silicon Created by Wafer Bonding
264		c 2019-12-07
264	1	b The Electrochemical Society,c 1994
338		a print2 rdacarrier
520		a A buried conductive layer in silicon has been created using wafer bonding technique, with a cobalt interfacial layer.Co-coated silicon wafers were brought into contact with either similar or uncoated wafers at room temperature. CoSi2 wasthen formed through a solid-phase reaction, during an anneal at 700 to 900°C. A 700 Å buried CoSi2-layer, with a resistivityof approximately 21 µ cm, was achieved. Good adhesion, as measured by tensile strength testing, between the wafers wasachieved. Transmission electron microscopic investigations (Co-coated wafer bonded to bare silicon) showed that thesilicide has not grown into the opposite wafer, and that an amorphous layer exists between the silicide and the siliconsurface. The presence of such a layer has been confirmed by electrical characterization.
650	7	a TEKNIK OCH TEKNOLOGIERx Elektroteknik och elektronik0 (SwePub)2022 hsv//swe
650	7	a ENGINEERING AND TECHNOLOGYx Electrical Engineering, Electronic Engineering, Information Engineering0 (SwePub)2022 hsv//eng
653		a Wafer bonding cobalt disilicide
653		a Electrical engineering, electronics and photonics
653		a Elektroteknik, elektronik och fotonik
700	1	a Söderberg, A.4 aut
700	1	a Tiensuu, A-L4 aut
700	1	a Johansson, S.4 aut
700	1	a Thungström, Göranu Mittuniversitetet,Institutionen för informationsteknologi och medier (-2013)4 aut0 (Swepub:miun)gorthu
700	1	a Petersson, Stureu Mittuniversitetet,Institutionen för informationsteknologi och medier (-2013)4 aut0 (Swepub:miun)stupet
710	2	a Mittuniversitetetb Institutionen för informationsteknologi och medier (-2013)4 org
773	0	t Journal of the Electrochemical Societyd : The Electrochemical Societyg 141:10, s. 2829-2833q 141:10<2829-2833x 0013-4651x 1945-7111
856	4 8	u https://urn.kb.se/resolve?urn=urn:nbn:se:miun:diva-1556
856	4 8	u https://doi.org/10.1149/1.2059239

Hitta via bibliotek

Journal of the Electrochemical Society (Sök värdpublikationen i LIBRIS)

Till lärosätets databas

Hitta mer i SwePub

Av författaren/redakt...: Ljungberg, K.; Söderberg, A.; Tiensuu, A-L; Johansson, S.; Thungström, Göra ...; Petersson, Sture

Om ämnet

TEKNIK OCH TEKNOLOGIER: TEKNIK OCH TEKNO ...; och Elektroteknik oc ...

Artiklar i publikationen: Journal of the E ...

Av lärosätet: Mittuniversitetet

Sök utanför SwePub

Sök vidare i:: Google; Google Book Search; Google Scholar

Kungliga biblioteket hanterar dina personuppgifter i enlighet med EU:s dataskyddsförordning (2018), GDPR. Läs mer om hur det funkar här.
Så här hanterar KB dina uppgifter vid användning av denna tjänst.

LIBRIS.kb.se