Sökning: WFRF:(Tungasmita Sukkaneste) >
Growth of epitaxial...
Growth of epitaxial (SiC)(x)(AlN)(1-x) thin films on 6H-SiC by ion-assisted dual magnetron sputter deposition
-
- Tungasmita, Sukkaneste (författare)
- Linköpings universitet,Tekniska högskolan,Institutionen för fysik, kemi och biologi
-
- Persson, Per (författare)
- Linköpings universitet,Tekniska högskolan,Tunnfilmsfysik
-
- Seppänen, Timo (författare)
- Linköpings universitet,Tekniska högskolan,Tunnfilmsfysik
-
visa fler...
-
- Hultman, Lars (författare)
- Linköpings universitet,Tekniska högskolan,Tunnfilmsfysik
-
- Birch, Jens (författare)
- Linköpings universitet,Tekniska högskolan,Tunnfilmsfysik
-
visa färre...
-
(creator_code:org_t)
- 2002
- 2002
- Engelska.
-
Ingår i: Materials Science Forum. - 0255-5476 .- 1662-9752. ; 389-3, s. 1481-1484
- Relaterad länk:
-
https://urn.kb.se/re...
Abstract
Ämnesord
Stäng
- (SiC)(X)(AIN)(1-X) thin films have been grown epitaxially on vicinal 6H-SiC (0001) by low-energy ion assisted dual magnetron sputtering in UHV conditions. AES showed a decreasing Si and C content for an increasing magnetron power ratio, (P-Al/P-SiC). The epitaxial quality of the films was improved as the SiC fraction increased. Films containing less than 5% of Si and C show an evolution of domain width similar to the growth of pure AIN. HRXRD show a decreased c-axis lattice parameter for a film with composition of AINC(X) (0less than or equal toxless than or equal to0.1), indicating carbon substitution in AIN. CL spectra show defect-related peaks of similar to3.87 and similar to4.70 eV, corresponding to O and C impurities respectively as well as on un-identified peak at similar to3.40 eV.
Nyckelord
- AlN
- epitaxial
- SiC
- sputter
- thin film
- TECHNOLOGY
- TEKNIKVETENSKAP
Publikations- och innehållstyp
- ref (ämneskategori)
- art (ämneskategori)
Hitta via bibliotek
Till lärosätets databas