Sökning: onr:"swepub:oai:DiVA.org:liu-65724" >
Electronic-grade Ga...
Electronic-grade GaN(0001)/Al2O3(0001) grown by reactive DC-magnetron sputter epitaxy using a liquid Ga target
-
- Junaid, Muhammad (författare)
- Linköpings universitet,Institutionen för fysik, kemi och biologi,Tekniska högskolan
-
- Hsiao, Ching-Lien (författare)
- Linköpings universitet,Institutionen för fysik, kemi och biologi,Tekniska högskolan
-
- Palisaitis, Justinas (författare)
- Linköpings universitet,Tunnfilmsfysik,Tekniska högskolan
-
visa fler...
-
- Jensen, Jens (författare)
- Linköpings universitet,Institutionen för fysik, kemi och biologi,Tekniska högskolan
-
- Persson, Per (författare)
- Linköpings universitet,Tunnfilmsfysik,Tekniska högskolan
-
- Hultman, Lars (författare)
- Linköpings universitet,Tunnfilmsfysik,Tekniska högskolan
-
- Birch, Jens (författare)
- Linköpings universitet,Tunnfilmsfysik,Tekniska högskolan
-
visa färre...
-
(creator_code:org_t)
- American Institute of Physics, 2011
- 2011
- Engelska.
-
Ingår i: Applied Physics Letters. - : American Institute of Physics. - 0003-6951 .- 1077-3118. ; 98:14, s. 141915-
- Relaterad länk:
-
https://liu.diva-por... (primary) (Raw object)
-
visa fler...
-
https://aip.scitatio...
-
https://urn.kb.se/re...
-
https://doi.org/10.1...
-
visa färre...
Abstract
Ämnesord
Stäng
- Electronic-grade GaN (0001) epilayers have been grown directly on Al2O3 (0001) substrates by reactive DC-magnetron sputter epitaxy (MSE) from a liquid Ga sputtering target in an Ar/N2 atmosphere. The as-grown GaN epitaxial film exhibit low threading dislocation density on the order of ≤ 1010 cm-2 obtained by transmission electron microscopy and modified Williamson-Hall plot. X-ray rocking curve shows narrow fullwidth at half maximum (FWHM) of 1054 arcsec of the 0002 reflection. A sharp 4 K photoluminescence peak at 3.474 eV with a FWHM of 6.3 meV is attributed to intrinsic GaN band edge emission. The high structural and optical qualities indicate that MSEgrown GaN epilayers can be used for fabricating high-performance devices without the need of any buffer layer.
Nyckelord
- GaN
- DC-MSE
- Sputtering
- ERDA
- TEM
- XRD
- PL
- NATURAL SCIENCES
- NATURVETENSKAP
Publikations- och innehållstyp
- ref (ämneskategori)
- art (ämneskategori)
Hitta via bibliotek
Till lärosätets databas