SwePub
Sök i LIBRIS databas

  Utökad sökning

WFRF:(Monaghan K)
 

Sökning: WFRF:(Monaghan K) > Electrical properti...

  • Gomeniuk, Y. Y. (författare)

Electrical properties of high-k LaLuO3 gate oxide for SOI MOSFETs

  • Artikel/kapitelEngelska2011

Förlag, utgivningsår, omfång ...

  • 2011
  • printrdacarrier

Nummerbeteckningar

  • LIBRIS-ID:oai:DiVA.org:kth-151171
  • https://urn.kb.se/resolve?urn=urn:nbn:se:kth:diva-151171URI
  • https://doi.org/10.4028/www.scientific.net/AMR.276.87DOI

Kompletterande språkuppgifter

  • Språk:engelska
  • Sammanfattning på:engelska

Ingår i deldatabas

Klassifikation

  • Ämneskategori:ref swepub-contenttype
  • Ämneskategori:kon swepub-publicationtype

Anmärkningar

  • QC 20140917
  • The paper presents the results of electrical characterization of MOS capacitors and SOI MOSFETs with novel high-? LaLuO3 dielectric as a gate oxide. The energy distribution of interface state density at LaLuO 3/Si interface is presented and typical maxima of 1.2×10 11 eV-1cm-2 was found at about 0.25 eV from the silicon valence band. The output and transfer characteristics of the n- and p-MOSFET (channel length and width were 1 μm and 50 μm, respectively) are presented. The front channel mobility appeared to be 126 cm2V -1s-1 and 70 cm2V-1s-1 for n- and p-MOSFET, respectively. The front channel threshold voltages as well as the density of states at the back interface are presented.

Ämnesord och genrebeteckningar

  • TEKNIK OCH TEKNOLOGIER Materialteknik hsv//swe
  • ENGINEERING AND TECHNOLOGY Materials Engineering hsv//eng
  • Channel mobility
  • High-k oxide
  • Interface states density
  • LaLuO3
  • Lanthanum lutetium oxide
  • Molecular beam deposition MBD
  • MOSFET
  • SOI
  • Threshold voltage
  • Transconductance
  • High-k oxides
  • LaLuO<sub>3</sub>
  • MOS-FET
  • Characterization
  • Chemical modification
  • Electric properties
  • Gates (transistor)
  • Insulating materials
  • Lanthanum oxides
  • MOS capacitors
  • Semiconductor devices
  • MOSFET devices

Biuppslag (personer, institutioner, konferenser, titlar ...)

  • Gomeniuk, Y. V. (författare)
  • Nazarov, A. N. (författare)
  • Hurley, P. K. (författare)
  • Cherkaoui, K. (författare)
  • Monaghan, S. (författare)
  • Hellström, Per-ErikKTH(Swepub:kth)u1hzct4j (författare)
  • Gottlob, H. D. B. (författare)
  • Schubert, J. (författare)
  • Lopes, J. M. J. (författare)
  • KTH (creator_code:org_t)

Sammanhörande titlar

  • Ingår i:6th International Workshop on Semiconductor-on-Insulator Materials and Devices, s. 87-939783037851784

Internetlänk

Hitta via bibliotek

Till lärosätets databas

Kungliga biblioteket hanterar dina personuppgifter i enlighet med EU:s dataskyddsförordning (2018), GDPR. Läs mer om hur det funkar här.
Så här hanterar KB dina uppgifter vid användning av denna tjänst.

 
pil uppåt Stäng

Kopiera och spara länken för att återkomma till aktuell vy