Sökning: WFRF:(Danielsson Christer) >
A 4H-SiC BJT with a...
A 4H-SiC BJT with an epitaxially regrown extrinsic base layer
-
- Danielsson, Erik (författare)
- KTH,Mikroelektronik och Informationsteknik, IMIT
-
- Domeij, Martin (författare)
- KTH,Mikroelektronik och Informationsteknik, IMIT
-
- Lee, Hyung-Seok (författare)
- KTH,Mikroelektronik och Informationsteknik, IMIT
-
visa fler...
-
- Zetterling, Carl-Mikael (författare)
- KTH,Mikroelektronik och Informationsteknik, IMIT
-
- Östling, Mikael (författare)
- KTH,Mikroelektronik och Informationsteknik, IMIT
-
- Schoner, A (författare)
- Acreo AB
-
- Hallin, Christer (författare)
- Linköpings universitet,Tekniska högskolan,Institutionen för fysik, kemi och biologi,Department of Physics and Measurement Technology, Linköping University
-
visa färre...
-
(creator_code:org_t)
- 2005
- 2005
- Engelska.
-
Ingår i: Materials Science Forum. - 0255-5476 .- 1662-9752. ; 483, s. 905-908
- Relaterad länk:
-
https://urn.kb.se/re...
-
visa fler...
-
https://urn.kb.se/re...
-
https://doi.org/10.4...
-
visa färre...
Abstract
Ämnesord
Stäng
- 4H-SiC BJTs were fabricated using epitaxial regrowth instead of ion implantation to form a highly doped extrinsic base layer necessary for a good base ohmic contact. A remaining p(+) regrowth spacer at the edge of the base-emitter junction is proposed to explain a low current gain of 6 for the BJTs. A breakdown voltage of 1000 V was obtained for devices with Al implanted JTE.
Ämnesord
- TEKNIK OCH TEKNOLOGIER -- Elektroteknik och elektronik -- Annan elektroteknik och elektronik (hsv//swe)
- ENGINEERING AND TECHNOLOGY -- Electrical Engineering, Electronic Engineering, Information Engineering -- Other Electrical Engineering, Electronic Engineering, Information Engineering (hsv//eng)
Nyckelord
- bipolar junction transistor
- extrinsic base
- epitaxial regrowth
- TECHNOLOGY
- TEKNIKVETENSKAP
- Electronics
Publikations- och innehållstyp
- ref (ämneskategori)
- art (ämneskategori)
Hitta via bibliotek
Till lärosätets databas