A SiC BJT-Based Negative Resistance Oscillator for High-Temperature Applications

↓ Direkt till sidans innehåll
↓ Direkt till sidans sekundära innehåll (sidomenyn)

Sökning: WFRF:(Elahipanah Hossein) > A SiC BJT-Based Neg...

LIBRIS Formathandbok (Information om MARC21)

Fältnamn	Indikatorer	Metadata
000		02840naa a2200433 4500
001		oai:DiVA.org:kth-245068
003		SwePub
008		190305s2019 \| \|\|\|\|\|\|\|\|\|\|\|000 \|\|eng\|
024	7	a https://urn.kb.se/resolve?urn=urn:nbn:se:kth:diva-2450682 URI
024	7	a https://doi.org/10.1109/JEDS.2018.28896382 DOI
040		a (SwePub)kth
041		a engb eng
042		9 SwePub
072	7	a ref2 swepub-contenttype
072	7	a art2 swepub-publicationtype
100	1	a Hussain, Muhammad Waqar,d 1985-u KTH,Elektronik och inbyggda system4 aut0 (Swepub:kth)u1d317b1
245	1 0	a A SiC BJT-Based Negative Resistance Oscillator for High-Temperature Applications
264	1	b Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE),c 2019
338		a electronic2 rdacarrier
500		a QC 20190311
520		a This brief presents a 59.5 MHz negative resistanceoscillator for high-temperature operation. The oscillator employs an in-house 4H-SiC BJT, integrated with the requiredcircuit passives on a low-temperature co-fired ceramic substrate. Measurements show that the oscillator operates from room-temperature up to 400 C. The oscillator delivers an output◦power of 11.2 dBm into a 50 Ω load at 25 C, which decreases to 8.4 dBm at 400 C. The oscillation frequency varies by 3.3% in the entire temperature range. The oscillator is biased witha collector current of 35 mA from a 12 V supply and has amaximum DC power consumption of 431 mW.
650	7	a TEKNIK OCH TEKNOLOGIERx Elektroteknik och elektronik0 (SwePub)2022 hsv//swe
650	7	a ENGINEERING AND TECHNOLOGYx Electrical Engineering, Electronic Engineering, Information Engineering0 (SwePub)2022 hsv//eng
653		a 4H-SiC BJT
653		a high-temperature
653		a LTCC
653		a negative resistance
653		a oscillator
700	1	a Elahipanah, Hosseinu KTH,Integrerade komponenter och kretsar,Ascatron AB4 aut0 (Swepub:kth)u1ve1t1u
700	1	a Zumbro, John E.u University of Arkansas4 aut
700	1	a Rodriguez, Saulu KTH,Integrerade komponenter och kretsar4 aut0 (Swepub:kth)u1vuponf
700	1	a Malm, B. Gunnar,d 1972-u KTH,Integrerade komponenter och kretsar4 aut0 (Swepub:kth)u13lag9j
700	1	a Mantooth, H. Alanu University of Arkansas4 aut
700	1	a Rusu, Ana,d 1959-u KTH,Integrerade komponenter och kretsar4 aut0 (Swepub:kth)u1ymok24
710	2	a KTHb Elektronik och inbyggda system4 org
773	0	t IEEE Journal of the Electron Devices Societyd : Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE)g 7:1, s. 191-195q 7:1<191-195x 2168-6734
856	4	u https://kth.diva-portal.org/smash/get/diva2:1293928/FULLTEXT01.pdfx primaryx Raw objecty fulltext:postprint
856	4 8	u https://urn.kb.se/resolve?urn=urn:nbn:se:kth:diva-245068
856	4 8	u https://doi.org/10.1109/JEDS.2018.2889638

Hitta via bibliotek

IEEE Journal of the Electron Devices Society (Sök värdpublikationen i LIBRIS)

Till lärosätets databas

Hitta mer i SwePub

Av författaren/redakt...: Hussain, Muhamma ...; Elahipanah, Hoss ...; Zumbro, John E.; Rodriguez, Saul; Malm, B. Gunnar, ...; Mantooth, H. Ala ...; visa fler...; Rusu, Ana, 1959-; visa färre...

Om ämnet

TEKNIK OCH TEKNOLOGIER: TEKNIK OCH TEKNO ...; och Elektroteknik oc ...

Artiklar i publikationen: IEEE Journal of ...

Av lärosätet: Kungliga Tekniska Högskolan

Sök utanför SwePub

Sök vidare i:: Google; Google Book Search; Google Scholar

Kungliga biblioteket hanterar dina personuppgifter i enlighet med EU:s dataskyddsförordning (2018), GDPR. Läs mer om hur det funkar här.
Så här hanterar KB dina uppgifter vid användning av denna tjänst.

LIBRIS.kb.se