Sökning: L773:0361 5235 OR L773:1543 186X
> (2000-2004) >
CVD-based tungsten ...
-
Lundberg, NUppsala universitet,Kemiska institutionen,Oorganisk kemi
(författare)
CVD-based tungsten carbide Schottky contacts to 6H-SiC for very high-temperature operation
- Artikel/kapitelEngelska2000
Förlag, utgivningsår, omfång ...
Nummerbeteckningar
-
LIBRIS-ID:oai:DiVA.org:uu-37588
-
https://urn.kb.se/resolve?urn=urn:nbn:se:uu:diva-37588URI
Kompletterande språkuppgifter
-
Språk:engelska
-
Sammanfattning på:engelska
Ingår i deldatabas
Klassifikation
-
Ämneskategori:ref swepub-contenttype
-
Ämneskategori:art swepub-publicationtype
Anmärkningar
-
Addresses: Lundberg N, KTH, Royal Inst Technol, Dept Elect, Box Electrum 229, SE-16440 Kista 2, Sweden. KTH, Royal Inst Technol, Dept Elect, SE-16440 Kista 2, Sweden. Uppsala Univ, Angstrom Lab, Dept Inorgan Chem, Box 538, 751 21 Uppsala, Sweden.
-
In this study, tungsten carbide, with its hardness, chemical inertness, thermal stability and low resistivity (25 mu Omega cm)(1) is shown as a reliable contact material to n- and p-type 6H-SiC for very high temperature applications. WC films with thickne
Ämnesord och genrebeteckningar
Biuppslag (personer, institutioner, konferenser, titlar ...)
-
Ostling, M
(författare)
-
Zetterling, CM
(författare)
-
Tagtstrom, P
(författare)
-
Jansson, UlfUppsala universitet,Oorganisk kemi,oorganisk kemi(Swepub:uu)uja03434
(författare)
-
Uppsala universitetKemiska institutionen
(creator_code:org_t)
Sammanhörande titlar
-
Ingår i:JOURNAL OF ELECTRONIC MATERIALS29:3, s. 372-3750361-5235
Internetlänk
Hitta via bibliotek
Till lärosätets databas