Sökning: WFRF:(Rorsman Niklas 1964)
> (2005-2009) >
Thermal characteriz...
Thermal characterization of the intrinsic noise parameters for AlGaN/GaN HEMTs
-
- Thorsell, Mattias, 1982 (författare)
- Chalmers tekniska högskola,Chalmers University of Technology
-
- Andersson, Kristoffer, 1976 (författare)
- Chalmers tekniska högskola,Chalmers University of Technology
-
- Fagerlind, Martin, 1980 (författare)
- Chalmers tekniska högskola,Chalmers University of Technology
-
visa fler...
-
- Sudow, Mattias, 1980 (författare)
- Chalmers tekniska högskola,Chalmers University of Technology
-
- Nilsson, Per-Åke, 1964 (författare)
- Chalmers tekniska högskola,Chalmers University of Technology
-
- Rorsman, Niklas, 1964 (författare)
- Chalmers tekniska högskola,Chalmers University of Technology
-
visa färre...
-
(creator_code:org_t)
- ISBN 9781424417810
- 2008
- 2008
- Engelska.
-
Ingår i: International Microwave Symposium Digest, 2008, Atlanta. - 0149-645X. - 9781424417810 ; , s. 463-466
- Relaterad länk:
-
https://research.cha...
Abstract
Ämnesord
Stäng
- The noise parameters of AlGaN/GaN-HEMTs are measured between 298 K and 423 K. The temperature dependent access resistances are de-embedded and the intrinsic noise parameters are studied as a function of temperature. It is shown that the parasitic access resistances are limiting the highfrequency noise performance of the AlGaN/GaN-HEMT.The intrinsic noise sources are extracted and a noise model is derived and verified for a MMIC amplifier.
Ämnesord
- TEKNIK OCH TEKNOLOGIER -- Elektroteknik och elektronik -- Annan elektroteknik och elektronik (hsv//swe)
- ENGINEERING AND TECHNOLOGY -- Electrical Engineering, Electronic Engineering, Information Engineering -- Other Electrical Engineering, Electronic Engineering, Information Engineering (hsv//eng)
Nyckelord
- Noise
- gallium-nitride
- thermal
Publikations- och innehållstyp
- kon (ämneskategori)
- ref (ämneskategori)
Hitta via bibliotek
Till lärosätets databas