SwePub
Sök i LIBRIS databas

  Utökad sökning

WFRF:(Oksanen Antti)
 

Sökning: WFRF:(Oksanen Antti) > Aluminum-Induced Ph...

Aluminum-Induced Photoluminescence Red Shifts in Core-Shell GaAs/AlxGa1-xAs Nanowires

Dhaka, Veer (författare)
Aalto University
Oksanen, Jani (författare)
Aalto University
Jiang, Hua (författare)
Aalto University
visa fler...
Haggren, Tuomas (författare)
Aalto University
Nykänen, Antti (författare)
Aalto University
Sanatinia, Reza (författare)
KTH,Halvledarmaterial, HMA
Kakko, Joona-Pekko (författare)
Aalto University
Huhtio, Teppo (författare)
Aalto University
Ruokolainen, Janne (författare)
Aalto University
Mattila, Marco (författare)
Aalto University
Anand, Srinivasan (författare)
KTH,Halvledarmaterial, HMA
Kauppinen, Esko I (författare)
Aalto University
Lipsanen, Harri (författare)
Aalto University
visa färre...
 (creator_code:org_t)
2013-08-06
2013
Engelska.
Ingår i: Nano letters (Print). - : American Chemical Society (ACS). - 1530-6984 .- 1530-6992. ; 13:8, s. 3581-3588
  • Tidskriftsartikel (refereegranskat)
Abstract Ämnesord
Stäng  
  • We report a new phenomenon related to Al-induced carrier confinement at the interface in core-shell GaAs/AlxGa1-xAs nanowires grown using metal-organic vapor phase epitaxy with Au as catalyst. All AlxGa1-xAs shells strongly passivated the GaAs nanowires, but surprisingly the peak photoluminescence (PL) position and the intensity from the core were found to be a strong function of Al composition in the shell at low temperatures. Large and systematic red shifts of up to similar to 66 nm and broadening in the PL emission from the GaAs core were observed when the Al composition in the shell exceeded 3%. On the contrary, the phenomenon was observed to be considerably weaker at the room temperature. Cross-sectional transmission electron microscopy reveals Al segregation in the shell along six Al-rich radial bands displaying a 3-fold symmetry. Time-resolved PL measurements suggest the presence of indirect electron-hole transitions at the interface at higher Al composition. We discuss all possibilities including a simple shell-core-shell model using simulations where the density of interface traps increases with the Al content, thus creating a strong local electron confinement. The carrier confinement at the interface is most likely related to Al inhomogeneity and/or Al-induced traps. Our results suggest that a low Al composition in the shell is desirable in order to achieve ideal passivation in GaAs nanowires.

Ämnesord

NATURVETENSKAP  -- Fysik -- Atom- och molekylfysik och optik (hsv//swe)
NATURAL SCIENCES  -- Physical Sciences -- Atom and Molecular Physics and Optics (hsv//eng)
TEKNIK OCH TEKNOLOGIER  -- Nanoteknik (hsv//swe)
ENGINEERING AND TECHNOLOGY  -- Nano-technology (hsv//eng)

Nyckelord

GaAs/AlGaAs
core-shell nanowires
MOVPE
MOCVD
Al segregation
TRPL

Publikations- och innehållstyp

ref (ämneskategori)
art (ämneskategori)

Hitta via bibliotek

Till lärosätets databas

Kungliga biblioteket hanterar dina personuppgifter i enlighet med EU:s dataskyddsförordning (2018), GDPR. Läs mer om hur det funkar här.
Så här hanterar KB dina uppgifter vid användning av denna tjänst.

 
pil uppåt Stäng

Kopiera och spara länken för att återkomma till aktuell vy