SwePub
Sök i LIBRIS databas

  Utökad sökning

WFRF:(Seger Johan)
 

Sökning: WFRF:(Seger Johan) > Formation of Ni mon...

Formation of Ni mono-germanosilicide on heavily B-doped epitaxial SiGe for ultra-shallow source/drain contacts

Isheden, Christian (författare)
KTH,Mikroelektronik och informationsteknik, IMIT
Seger, Johan (författare)
KTH,Mikroelektronik och informationsteknik, IMIT
Radamson, Henry H. (författare)
KTH,Mikroelektronik och informationsteknik, IMIT
visa fler...
Zhang, Shi-Li (författare)
KTH,Mikroelektronik och informationsteknik, IMIT
Östling, Mikael (författare)
KTH,Mikroelektronik och informationsteknik, IMIT
visa färre...
 (creator_code:org_t)
2003
2003
Engelska.
Ingår i: Materials Research Society Symposium Proceedings. - 0272-9172 .- 1946-4274. ; 745, s. 117-122
  • Tidskriftsartikel (refereegranskat)
Abstract Ämnesord
Stäng  
  • The formation of Ni germanosilicides during solid-state interaction between Ni and heavily B-doped strained epitaxial Si1-xGex films with x=0.18, 0.32 and 0.37 is studied. No NiSi2 is found in these samples even after annealing at 850 degreesC, which can be compared to the formation of NiSi2 at 750 T on Si(I 00). Resistance and diffraction studies for the Si0.82Ge0.18 sample indicate that NiSi0.82Ge0.18 forms and the NiSi0.82Ge0.18/Si0.82Ge0.18 structure is stable from 400 to 700 degreesC. For the NiSi1-uGeu formed in all Si1-xGex samples, where u can be different from x, a strong film texturing is observed. When the Ge fraction is increased from 18 at.% to 32-37 at.%, the morphological stability of the film is degraded and a substantial increase in sheet resistance occurs already at 600 degreesC. The contact resistivity for the NiSi0.8Ge0.2/Si0.8Ge0.2 interface formed at 550 T is determined as 1.2x10(-7) Omegacm(2), which satisfies the ITRS contact resistivity requirement for the 70 nm technology node.

Ämnesord

TEKNIK OCH TEKNOLOGIER  -- Elektroteknik och elektronik -- Annan elektroteknik och elektronik (hsv//swe)
ENGINEERING AND TECHNOLOGY  -- Electrical Engineering, Electronic Engineering, Information Engineering -- Other Electrical Engineering, Electronic Engineering, Information Engineering (hsv//eng)

Nyckelord

Electric contacts
Electric resistance
Epitaxial growth
Rapid thermal annealing
Semiconducting films
Semiconductor doping
Semiconductor junctions
X ray diffraction analysis
Sheet resistance
Silicidation
Electronics
Elektronik

Publikations- och innehållstyp

ref (ämneskategori)
art (ämneskategori)

Hitta via bibliotek

Till lärosätets databas

Sök utanför SwePub

Kungliga biblioteket hanterar dina personuppgifter i enlighet med EU:s dataskyddsförordning (2018), GDPR. Läs mer om hur det funkar här.
Så här hanterar KB dina uppgifter vid användning av denna tjänst.

 
pil uppåt Stäng

Kopiera och spara länken för att återkomma till aktuell vy