Direct observation of interface effects of thin AlAs(100) layers buried in GaAs

Agui, A.SPring-8, JAERI, Kouto, Mikazuki, Sayo, Hyogo, Japan ; Department of Physics, Uppsala University, Uppsala, Sweden (författare)

A study of the electronic structure of ultrathin AlAs layers buried in GaAs(100) and their interfaces is presented. Al L2,3 soft-X-ray-emission (SXE) spectra from the AlAs layers were measured. The spectra show distinct thickness-dependent features, which are reproduced using ab initio calculations.

Såthe, C.Department of Physics, Uppsala University, Sweden (författare)
Guo, J.-H.Department of Physics, Uppsala University, Sweden (författare)
Nordgren, J.Department of Physics, Uppsala University, Sweden (författare)
Mankefors, S.Department of Physics, Chalmers University of Technology, Göteborg, Sweden (författare)
Nilsson, P. O.Department of Physics, Chalmers University of Technology, Göteborg, Sweden (författare)
Kanski, J.Department of Physics, Chalmers University of Technology, Göteborg, Sweden (författare)
Andersson, T. G.Department of Physics, Chalmers University of Technology, Göteborg, Sweden (författare)
Karlsson, Krister,1961-Högskolan i Skövde,Institutionen för naturvetenskap(Swepub:his)karr (författare)
SPring-8, JAERI, Kouto, Mikazuki, Sayo, Hyogo, Japan ; Department of Physics, Uppsala University, Uppsala, SwedenDepartment of Physics, Uppsala University, Sweden (creator_code:org_t)

Av författaren/redakt...: Agui, A.; Såthe, C.; Guo, J.-H.; Nordgren, J.; Mankefors, S.; Nilsson, P. O.; visa fler...; Kanski, J.; Andersson, T. G.; Karlsson, Kriste ...; visa färre...

Om ämnet

Kungliga biblioteket hanterar dina personuppgifter i enlighet med EU:s dataskyddsförordning (2018), GDPR. Läs mer om hur det funkar här.
Så här hanterar KB dina uppgifter vid användning av denna tjänst.