WFRF:(Persson Karl Magnus)
Sökning: WFRF:(Persson Karl Magnus) > A 4F2 Vertical Gate...
- 21 av 45
- Föregående post
- Nästa post
- Till träfflistan
A 4F2 Vertical Gate-all-around Nanowire Compute-in-memory Device Integrated in (1T1R) Cross-Point Arrays on Silicon
-
- Mamidala, Saketh, Ram (författare)
- Lund University,Lunds universitet,Nanoelektronik,Forskargrupper vid Lunds universitet,LTH profilområde: AI och digitalisering,LTH profilområden,Lunds Tekniska Högskola,Nano Electronics,Lund University Research Groups,LTH Profile Area: AI and Digitalization,LTH Profile areas,Faculty of Engineering, LTH
-
- Persson, Karl-Magnus (författare)
- Lund University,Lunds universitet,Nanoelektronik,Forskargrupper vid Lunds universitet,Nano Electronics,Lund University Research Groups
-
- Wernersson, Lars-Erik (författare)
- Lund University,Lunds universitet,NanoLund: Centre for Nanoscience,Annan verksamhet, LTH,Lunds Tekniska Högskola,Nanoelektronik,Forskargrupper vid Lunds universitet,LTH profilområde: Nanovetenskap och halvledarteknologi,LTH profilområden,LTH profilområde: AI och digitalisering,Other operations, LTH,Faculty of Engineering, LTH,Nano Electronics,Lund University Research Groups,LTH Profile Area: Nanoscience and Semiconductor Technology,LTH Profile areas,Faculty of Engineering, LTH,LTH Profile Area: AI and Digitalization,Faculty of Engineering, LTH
- (creator_code:org_t)
- 2022
- 2022
- Engelska.
- Ingår i: IEEE Silicon Nanoelectronics Workshop (SNW). - 9781665459792 ; , s. 1-2
- Konferensbidrag (refereegranskat)
Abstract
Ämnesord
Stäng
- Complete 4F2 vertical nanowire (VNW) 1T1R cells with 106 cycles switching endurance and with a demonstrated capability of performing Boolean logic are fabricated and characterized in cross-point arrays. The performance of the vertical 1T1R cell is benefited from using the same III-V/high- k interface both for the vertical GAA MOSFET selector as well as the ReRAM. In this paper, we also compare the InAs nanowire implementation to a nanowire with an InGaAs top segment to utilize the relatively larger bandgap of InGaAs to reduce sneak-path leakage currents.
Ämnesord
- TEKNIK OCH TEKNOLOGIER -- Nanoteknik -- Nanoteknik (hsv//swe)
- ENGINEERING AND TECHNOLOGY -- Nano-technology -- Nano-technology (hsv//eng)
Publikations- och innehållstyp
- kon (ämneskategori)
- ref (ämneskategori)
Hitta via bibliotek
- IEEE Silicon Nanoelectronics Workshop (SNW) (Sök värdpublikationen i LIBRIS)
Till lärosätets databas
- 21 av 45
- Föregående post
- Nästa post
- Till träfflistan
Hitta mer i SwePub
- Av författaren/redakt...
- Mamidala, Saketh ...
- Persson, Karl-Ma ...
- Wernersson, Lars ...
- Om ämnet
-
- TEKNIK OCH TEKNOLOGIER
- TEKNIK OCH TEKNO ...
- och Nanoteknik
- och Nanoteknik
- Artiklar i publikationen
- IEEE Silicon Nan ...
- Av lärosätet
- Lunds universitet
Sök utanför SwePub
- Sök vidare i:
- Google Book Search
- Google Scholar
Kungliga biblioteket hanterar dina personuppgifter i enlighet med EU:s dataskyddsförordning (2018), GDPR. Läs mer om hur det funkar här.
Så här hanterar KB dina uppgifter vid användning av denna tjänst.
- Copyright © LIBRIS - Nationella bibliotekssystem
- LIBRIS.kb.se
