Influence of well-width fluctuations on the electronic structure of GaN/AlxGa1-xN multiquantum wells with graded interfaces

Valcheva, E. (författare)

Dimitrov, S. (författare)

Monemar, Bo (författare): Linköpings universitet,Tekniska högskolan,Halvledarmaterial

Haratizadeh, H. (författare)

Persson, Per (författare): Linköpings universitet,Tekniska högskolan,Tunnfilmsfysik

Amano, H. (författare)

Akasaki, I. (författare)

(creator_code:org_t)

2007
2007
Engelska.
Ingår i: Acta Physica Polonica. A. - 0587-4246 .- 1898-794X. ; 112:2, s. 395-400

Abstract Ämnesord

Stäng

Experimental and computation results based on chemical composition assessment of metal-organic chemical vapour deposition grown undoped GaN/AlxGa1-xN multiquantum well structures in the low composition limit of x = 0.07 and wide wells demonstrate composition fluctuations in the barrier layers which lead to large-scale nonuniformities and inequivalence of the different wells. As a consequence the experimental photoluminescence spectra at low temperature show a double peak structure indicative of well-width fluctuations by one lattice parameter (2 monolayers).

Av författaren/redakt...: Valcheva, E.; Dimitrov, S.; Monemar, Bo; Haratizadeh, H.; Persson, Per; Amano, H.; visa fler...; Akasaki, I.; visa färre...

Kungliga biblioteket hanterar dina personuppgifter i enlighet med EU:s dataskyddsförordning (2018), GDPR. Läs mer om hur det funkar här.
Så här hanterar KB dina uppgifter vid användning av denna tjänst.