Photoluminescence excitation spectroscopy of self-assembled SiGe/Si quantum dots

Adnane, Bouchaib (författare): Linköpings universitet,Yt- och Halvledarfysik,Tekniska högskolan

Karlsson, Fredrik (författare): Linköpings universitet,Halvledarmaterial,Tekniska högskolan

Hansson, Göran (författare): Linköpings universitet,Yt- och Halvledarfysik,Tekniska högskolan

Holtz, Per-Olof, 1951- (författare): Linköpings universitet,Halvledarmaterial,Tekniska högskolan

Ni, Wei-Xin (författare): Linköpings universitet,Yt- och Halvledarfysik,Tekniska högskolan

(creator_code:org_t)

Abstract Ämnesord

Stäng

Photoluminescence excitation (PLE) experiments are reported for various self-assembled SiGe/Si dot samples grown on Si(001) by molecular beam epitaxy at substrate temperatures ranging from 430 to 580 C. Two excitation peaks were observed, and the characteristics of the involved optical transitions were studied in detail by PLE (in one case implemented together with selective photoluminescence, SPL) on different samples containing either only one SiGe dot layer or multiple SiGe-dot/Si stacks. The temperature- and power-dependence of the excitation properties together with the results of six-band k.p calculations support the assignment of the observed PLE peaks to spatially direct and indirect transitions collected from two different SiGe dot populations.

Av författaren/redakt...: Adnane, Bouchaib; Karlsson, Fredri ...; Hansson, Göran; Holtz, Per-Olof, ...; Ni, Wei-Xin

Kungliga biblioteket hanterar dina personuppgifter i enlighet med EU:s dataskyddsförordning (2018), GDPR. Läs mer om hur det funkar här.
Så här hanterar KB dina uppgifter vid användning av denna tjänst.