Sökning: WFRF:(Araujo Carlos M.) > Defect-induced stro...
Fältnamn | Indikatorer | Metadata |
---|---|---|
000 | 02950naa a2200481 4500 | |
001 | oai:DiVA.org:kth-19386 | |
003 | SwePub | |
008 | 100805s2010 | |||||||||||000 ||eng| | |
009 | oai:DiVA.org:uu-136997 | |
024 | 7 | a https://urn.kb.se/resolve?urn=urn:nbn:se:kth:diva-193862 URI |
024 | 7 | a https://doi.org/10.1016/j.ssc.2009.12.0222 DOI |
024 | 7 | a https://urn.kb.se/resolve?urn=urn:nbn:se:uu:diva-1369972 URI |
040 | a (SwePub)kthd (SwePub)uu | |
041 | a engb eng | |
042 | 9 SwePub | |
072 | 7 | a ref2 swepub-contenttype |
072 | 7 | a art2 swepub-publicationtype |
100 | 1 | a Huang, L. M.u Uppsala universitet,Institutionen för fysik och materialvetenskap4 aut |
245 | 1 0 | a Defect-induced strong ferromagnetism in Cr-doped In2O3 from first-principles theory |
264 | 1 | b Elsevier BV,c 2010 |
338 | a print2 rdacarrier | |
500 | a QC 20100525 | |
520 | a We demonstrate by means of first-principles calculations that the high Curie temperature observed in Cr-doped In2O3 is mediated by intrinsic p-type defects, namely In vacancies or O interstitials. Charge transfer from Cr 3d states to the hole states formed by these defects makes Cr ions in the mixed valence state, giving rise to a strong ferromagnetic coupling. Calculated formation energies of various defects also show that doping Cr in In2O3 could greatly lower the formation energies of p-type intrinsic defects even in oxygen-deficient growth conditions. These results advance our understanding of the underlying physics of diluted magnetic oxides. | |
650 | 7 | a NATURVETENSKAPx Fysikx Den kondenserade materiens fysik0 (SwePub)103042 hsv//swe |
650 | 7 | a NATURAL SCIENCESx Physical Sciencesx Condensed Matter Physics0 (SwePub)103042 hsv//eng |
650 | 7 | a NATURVETENSKAPx Fysik0 (SwePub)1032 hsv//swe |
650 | 7 | a NATURAL SCIENCESx Physical Sciences0 (SwePub)1032 hsv//eng |
653 | a Semiconductors | |
653 | a Impurities in semiconductors | |
653 | a Electronic band structure | |
653 | a energy | |
653 | a oxide | |
653 | a Semiconductor physics | |
653 | a Halvledarfysik | |
653 | a Physics | |
700 | 1 | a Silvearv, F.u Uppsala universitet,Institutionen för fysik och materialvetenskap4 aut |
700 | 1 | a Araujo, Carlos Moysesu Uppsala universitet,KTH,Tillämpad materialfysik,Institutionen för fysik och materialvetenskap4 aut0 (Swepub:kth)u1wimzjk |
700 | 1 | a Ahuja, Rajeevu Uppsala universitet,KTH,Tillämpad materialfysik,Institutionen för fysik och materialvetenskap4 aut0 (Swepub:uu)rajeeva |
710 | 2 | a Uppsala universitetb Institutionen för fysik och materialvetenskap4 org |
773 | 0 | t Solid State Communicationsd : Elsevier BVg 150:13-14, s. 663-665q 150:13-14<663-665x 0038-1098x 1879-2766 |
856 | 4 8 | u https://urn.kb.se/resolve?urn=urn:nbn:se:kth:diva-19386 |
856 | 4 8 | u https://doi.org/10.1016/j.ssc.2009.12.022 |
856 | 4 8 | u https://urn.kb.se/resolve?urn=urn:nbn:se:uu:diva-136997 |
Kungliga biblioteket hanterar dina personuppgifter i enlighet med EU:s dataskyddsförordning (2018), GDPR. Läs mer om hur det funkar här.
Så här hanterar KB dina uppgifter vid användning av denna tjänst.