WFRF:(Persson Karl Magnus)
Sökning: WFRF:(Persson Karl Magnus) > 1/f-noise in Vertic...
- 29 av 45
- Föregående post
- Nästa post
- Till träfflistan
- Persson, Karl-MagnusLund University,Lunds universitet,Institutionen för elektro- och informationsteknik,Institutioner vid LTH,Lunds Tekniska Högskola,Department of Electrical and Information Technology,Departments at LTH,Faculty of Engineering, LTH (författare)
1/f-noise in Vertical InAs Nanowire Transistors
- Artikel/kapitelEngelska2013
Förlag, utgivningsår, omfång ...
- 2013
- electronicrdacarrier
Nummerbeteckningar
- LIBRIS-ID:oai:lup.lub.lu.se:72e1cbe8-7c99-46ff-9811-2947a992a41e
- https://lup.lub.lu.se/record/4204157URI
- https://doi.org/10.1109/ICIPRM.2013.6562634DOI
Kompletterande språkuppgifter
- Språk:engelska
- Sammanfattning på:engelska
Ingår i deldatabas
- SwePubSwePub
Klassifikation
Anmärkningar
- The material quality at high-k interfaces are a major concern for FET devices. We study the effect on two types of InAs nanowire (NW) transistors and compare their characteristics. It is found that by introducing an inner layer of Al2O3 at the high-kappa interface, the low frequency noise (LFN) performance regarding gate voltage noise spectral density, S-Vg, is improved by one order of magnitude per unit gate area.
Ämnesord och genrebeteckningar
- TEKNIK OCH TEKNOLOGIER Elektroteknik och elektronik hsv//swe
- ENGINEERING AND TECHNOLOGY Electrical Engineering, Electronic Engineering, Information Engineering hsv//eng
- 1/f-noise
- high-kappa
- nanowire
- InAs
- FET
Biuppslag (personer, institutioner, konferenser, titlar ...)
- Berg, MartinLund University,Lunds universitet,Institutionen för elektro- och informationsteknik,Institutioner vid LTH,Lunds Tekniska Högskola,Department of Electrical and Information Technology,Departments at LTH,Faculty of Engineering, LTH(Swepub:lu)eit-mib (författare)
- Lind, ErikLund University,Lunds universitet,Institutionen för elektro- och informationsteknik,Institutioner vid LTH,Lunds Tekniska Högskola,Department of Electrical and Information Technology,Departments at LTH,Faculty of Engineering, LTH(Swepub:lu)ftf-eli (författare)
- Wernersson, Lars-ErikLund University,Lunds universitet,Institutionen för elektro- och informationsteknik,Institutioner vid LTH,Lunds Tekniska Högskola,Department of Electrical and Information Technology,Departments at LTH,Faculty of Engineering, LTH(Swepub:lu)ftf-lwe (författare)
- Institutionen för elektro- och informationsteknikInstitutioner vid LTH (creator_code:org_t)
Sammanhörande titlar
- Ingår i:2013 International Conference on Indium Phosphide and Related Materials (IPRM), s. 1-21092-8669
Internetlänk
Hitta via bibliotek
- 2013 International Conference on Indium Phosphide and Related Materials (IPRM) (Sök värdpublikationen i LIBRIS)
Till lärosätets databas
- 29 av 45
- Föregående post
- Nästa post
- Till träfflistan
Hitta mer i SwePub
- Av författaren/redakt...
- Persson, Karl-Ma ...
- Berg, Martin
- Lind, Erik
- Wernersson, Lars ...
- Om ämnet
-
- TEKNIK OCH TEKNOLOGIER
- TEKNIK OCH TEKNO ...
- och Elektroteknik oc ...
- Artiklar i publikationen
- 2013 Internation ...
- Av lärosätet
- Lunds universitet
Sök utanför SwePub
- Sök vidare i:
- Google Book Search
- Google Scholar
Kungliga biblioteket hanterar dina personuppgifter i enlighet med EU:s dataskyddsförordning (2018), GDPR. Läs mer om hur det funkar här.
Så här hanterar KB dina uppgifter vid användning av denna tjänst.
- Copyright © LIBRIS - Nationella bibliotekssystem
- LIBRIS.kb.se
