Sökning: WFRF:(Persson Karl Magnus) >
1/f-noise in Vertic...
1/f-noise in Vertical InAs Nanowire Transistors
-
- Persson, Karl-Magnus (författare)
- Lund University,Lunds universitet,Institutionen för elektro- och informationsteknik,Institutioner vid LTH,Lunds Tekniska Högskola,Department of Electrical and Information Technology,Departments at LTH,Faculty of Engineering, LTH
-
- Berg, Martin (författare)
- Lund University,Lunds universitet,Institutionen för elektro- och informationsteknik,Institutioner vid LTH,Lunds Tekniska Högskola,Department of Electrical and Information Technology,Departments at LTH,Faculty of Engineering, LTH
-
- Lind, Erik (författare)
- Lund University,Lunds universitet,Institutionen för elektro- och informationsteknik,Institutioner vid LTH,Lunds Tekniska Högskola,Department of Electrical and Information Technology,Departments at LTH,Faculty of Engineering, LTH
-
visa fler...
-
- Wernersson, Lars-Erik (författare)
- Lund University,Lunds universitet,Institutionen för elektro- och informationsteknik,Institutioner vid LTH,Lunds Tekniska Högskola,Department of Electrical and Information Technology,Departments at LTH,Faculty of Engineering, LTH
-
visa färre...
-
(creator_code:org_t)
- 2013
- 2013
- Engelska.
-
Ingår i: 2013 International Conference on Indium Phosphide and Related Materials (IPRM). - 1092-8669. ; , s. 1-2
- Relaterad länk:
-
https://portal.resea... (primary) (free)
-
visa fler...
-
http://dx.doi.org/10...
-
https://lup.lub.lu.s...
-
https://doi.org/10.1...
-
visa färre...
Abstract
Ämnesord
Stäng
- The material quality at high-k interfaces are a major concern for FET devices. We study the effect on two types of InAs nanowire (NW) transistors and compare their characteristics. It is found that by introducing an inner layer of Al2O3 at the high-kappa interface, the low frequency noise (LFN) performance regarding gate voltage noise spectral density, S-Vg, is improved by one order of magnitude per unit gate area.
Ämnesord
- TEKNIK OCH TEKNOLOGIER -- Elektroteknik och elektronik (hsv//swe)
- ENGINEERING AND TECHNOLOGY -- Electrical Engineering, Electronic Engineering, Information Engineering (hsv//eng)
Nyckelord
- 1/f-noise
- high-kappa
- nanowire
- InAs
- FET
Publikations- och innehållstyp
- kon (ämneskategori)
- ref (ämneskategori)
Hitta via bibliotek
Till lärosätets databas