SwePub
Sök i LIBRIS databas

  Utökad sökning

WFRF:(Camassel J.)
 

Sökning: WFRF:(Camassel J.) > LTPL Investigation ...

  • Sun, J. W.Groupe d’Etudes des Semiconducteurs, Université Montpellier 2 and CNRS, cc 074-GES, 34095 Montpellier Cedex 5, France (författare)

LTPL Investigation of N-Ga and N-Al Donor-Acceptor Pair Spectra in 3C-SiC Layers Grown by VLS on 6H-SiC Substrates

  • Artikel/kapitelEngelska2010

Förlag, utgivningsår, omfång ...

  • 2010
  • printrdacarrier

Nummerbeteckningar

  • LIBRIS-ID:oai:DiVA.org:liu-128858
  • https://urn.kb.se/resolve?urn=urn:nbn:se:liu:diva-128858URI
  • https://doi.org/10.4028/www.scientific.net/MSF.645-648.415DOI

Kompletterande språkuppgifter

  • Språk:engelska
  • Sammanfattning på:engelska

Ingår i deldatabas

Klassifikation

  • Ämneskategori:ref swepub-contenttype
  • Ämneskategori:kon swepub-publicationtype

Anmärkningar

  • Ga-doped 3C-SiC layers have been grown on on-axis 6H-SiC (0001) substrates by the VLS technique and investigated by low temperature photoluminescence (LTPL) measurements. On these Ga-doped samples, all experimental spectra collected at 5K were found dominated by strong N-Ga donor-acceptor pair (DAP) transitions and phonon replicas. As expected, the N-Ga DAP zero-phonon line (ZPL) was located at lower energy ( 86 meV) below the N-Al one. Fitting the transition energies for the N-Al close DAP lines gave 251 meV for the Al acceptor binding energy in 3C-SiC and, by comparison, 337 meV for the Ga acceptor one.

Ämnesord och genrebeteckningar

Biuppslag (personer, institutioner, konferenser, titlar ...)

  • Zoulis, G.Groupe d’Etudes des Semiconducteurs, Université Montpellier 2 and CNRS, cc 074-GES, 34095 Montpellier Cedex 5, France (författare)
  • Lorenzzi, J.Laboratoire des Multimateriaux et Interfaces, UMR-CNRS 5615, UCB-Lyon1, 43 Bd du 11 nov. 1918, 69622 Villeurbanne, France (författare)
  • Jegenyes, N.Laboratoire des Multimateriaux et Interfaces, UMR-CNRS 5615, UCB-Lyon1, 43 Bd du 11 nov. 1918, 69622 Villeurbanne, France (författare)
  • Juillaguet, S.Groupe d’Etudes des Semiconducteurs, Université Montpellier 2 and CNRS, cc 074-GES, 34095 Montpellier Cedex 5, France (författare)
  • Peyre, H.Groupe d’Etudes des Semiconducteurs, Université Montpellier 2 and CNRS, cc 074-GES, 34095 Montpellier Cedex 5, France (författare)
  • Souliere, VLaboratoire des Multimateriaux et Interfaces, UMR-CNRS 5615, UCB-Lyon1, 43 Bd du 11 nov. 1918, 69622 Villeurbanne, France (författare)
  • Ferro, G.Laboratoire des Multimateriaux et Interfaces, UMR-CNRS 5615, UCB-Lyon1, 43 Bd du 11 nov. 1918, 69622 Villeurbanne, France (författare)
  • Milesi, F.CEA-LETI/MINATEC, 38054 Grenoble cedex 9, France (författare)
  • Camassel, J.Groupe d’Etudes des Semiconducteurs, Université Montpellier 2 and CNRS, cc 074-GES, 34095 Montpellier Cedex 5, France (författare)
  • Groupe d’Etudes des Semiconducteurs, Université Montpellier 2 and CNRS, cc 074-GES, 34095 Montpellier Cedex 5, FranceLaboratoire des Multimateriaux et Interfaces, UMR-CNRS 5615, UCB-Lyon1, 43 Bd du 11 nov. 1918, 69622 Villeurbanne, France (creator_code:org_t)

Sammanhörande titlar

  • Ingår i:Silicon Carbide and Related Materials 2009, s. 415-418

Internetlänk

Till lärosätets databas

Sök utanför SwePub

Kungliga biblioteket hanterar dina personuppgifter i enlighet med EU:s dataskyddsförordning (2018), GDPR. Läs mer om hur det funkar här.
Så här hanterar KB dina uppgifter vid användning av denna tjänst.

 
pil uppåt Stäng

Kopiera och spara länken för att återkomma till aktuell vy