Di-Carbon defects in annealed highly carbon doped GaAs

Wagner, JFraunhofer-Institut für Angewandte Festkörperphysik, Tullastrasse 72, D-79108 Freiburg (författare)

Godkänd; 1997; 20080429 (ysko)
Formation of bonded dicarbon C-C centers is deduced from the observation of Raman lines at 1742, 1708, and 1674 cm -1 in GaAs codoped with 12C and 13C after annealing at 850 °C with concomitant loss of vibrational scattering from CAs. The frequencies agree with results of ab initio theory for a C-C split interstitial (deep donor) formed by the trapping of a mobile interstitial C (displaced CAs) atom by an undisplaced CAs acceptor. Other mechanisms of carrier loss are inferred since a weaker Raman triplet is detected at 1859, 1824, and 1788 cm -1 from a different C-C complex.

Newman, R CImperial College of Science (författare)
Davidson, B RImperial College of Science (författare)
Westwater, S PUniversity of Liverpool (författare)
Bullough, T JUniversity of Liverpool (författare)
Joyce, T BUniversity of Liverpool (författare)
Latham, ChrisLuleå tekniska universitet,Matematiska vetenskaper(Swepub:ltu)latham (författare)
Jones, RUniversity of Exeter (författare)
Öberg, SvenLuleå tekniska universitet,Matematiska vetenskaper(Swepub:ltu)oberg (författare)
Fraunhofer-Institut für Angewandte Festkörperphysik, Tullastrasse 72, D-79108 FreiburgImperial College of Science (creator_code:org_t)

Av författaren/redakt...: Wagner, J; Newman, R C; Davidson, B R; Westwater, S P; Bullough, T J; Joyce, T B; visa fler...; Latham, Chris; Jones, R; Öberg, Sven; visa färre...

Om ämnet

Kungliga biblioteket hanterar dina personuppgifter i enlighet med EU:s dataskyddsförordning (2018), GDPR. Läs mer om hur det funkar här.
Så här hanterar KB dina uppgifter vid användning av denna tjänst.