SwePub
Sök i LIBRIS databas

  Utökad sökning

WFRF:(Wulff A.)
 

Sökning: WFRF:(Wulff A.) > Tin-vacancy accepto...

Tin-vacancy acceptor levels in electron-irradiated n-type silicon

Nylandsted Larsen, A. (författare)
Institute of Physics and Astronomy, University of Aarhus, Aarhus, Denmark
Goubet, J. J. (författare)
Institute of Physics and Astronomy, University of Aarhus, Aarhus, Denmark
Mejlholm, P. (författare)
Institute of Physics and Astronomy, University of Aarhus, Aarhus, Denmark
visa fler...
Sherman Christensen, J. (författare)
Institute of Physics and Astronomy, University of Aarhus, Aarhus, Denmark
Fanciulli, M. (författare)
Institute of Physics and Astronomy, University of Aarhus, Aarhus, Denmark
Gunnlaugsson, H. P. (författare)
Institute of Physics and Astronomy, University of Aarhus, Aarhus, Denmark
Weyer, G. (författare)
Institute of Physics and Astronomy, University of Aarhus, Aarhus, Denmark
Wulff Petersen, J. (författare)
The Mikroelectronic Center, The Technical University of Denmark, Lyngby, Denmark
Resende, A. (författare)
School of Physics, University of Exeter, Exeter, United Kingdom
Kaukoen, K. (författare)
School of Physics, University of Exeter, Exeter, United Kingdom
Jones, R. (författare)
School of Physics, University of Exeter, Exeter, United Kingdom
Öberg, Sven (författare)
Luleå tekniska universitet,Matematiska vetenskaper
Briddon, P. R. (författare)
Department of Physics, University of Newcastle upon Tyne, Newcastle upon Tyne, United Kingdom
Svensson, B. G. (författare)
Solid State Electronics, The Royal Institute of Technology, Kista-Stockholm, Sweden
Lindström, J. L. (författare)
Solid State Physics, University of Lund, Lund, Sweden
Dannefaer, S. (författare)
Department of Physics, University of Winnipeg, Winnipeg, Manitoba, Canada
visa färre...
 (creator_code:org_t)
2000
2000
Engelska.
Ingår i: Physical Review B. Condensed Matter and Materials Physics. - 1098-0121 .- 1550-235X. ; 62:7, s. 4535-4544
Relaterad länk:
https://urn.kb.se/re...
visa fler...
https://doi.org/10.1...
visa färre...
  • Tidskriftsartikel (refereegranskat)
Abstract Ämnesord
Stäng  
  • Si crystals (n-type, fz) with doping levels between 1.5×1014 and 2×1016 cm-3 containing in addition ∼1018 Sn/cm3 were irradiated with 2-MeV electrons to different doses and subsequently studied by deep level transient spectroscopy, Mössbauer spectroscopy, and positron annihilation. Two tin-vacancy (Sn-V) levels at Ec-0.214 eV and Ec-0.501 eV have been identified (Ec denotes the conduction band edge). Based on investigations of the temperature dependence of the electron-capture cross sections, the electric-field dependence of the electron emissivity, the anneal temperature, and the defect-introduction rate, it is concluded that these levels are the double and single acceptor levels, respectively, of the Sn-V pair. These conclusions are in agreement with electronic structure calculations carried out using a local spin-density functional theory, incorporating pseudopotentials to eliminate the core electrons, and applied to large H-terminated clusters. Thus, the Sn-V pair in Si has five different charge states corresponding to four levels in the band gap.

Ämnesord

NATURVETENSKAP  -- Matematik -- Beräkningsmatematik (hsv//swe)
NATURAL SCIENCES  -- Mathematics -- Computational Mathematics (hsv//eng)

Nyckelord

Scientific Computing
Teknisk-vetenskapliga beräkningar

Publikations- och innehållstyp

ref (ämneskategori)
art (ämneskategori)

Hitta via bibliotek

Till lärosätets databas

Kungliga biblioteket hanterar dina personuppgifter i enlighet med EU:s dataskyddsförordning (2018), GDPR. Läs mer om hur det funkar här.
Så här hanterar KB dina uppgifter vid användning av denna tjänst.

 
pil uppåt Stäng

Kopiera och spara länken för att återkomma till aktuell vy