SwePub
Sök i LIBRIS databas

  Utökad sökning

WFRF:(Ivanov N.)
 

Sökning: WFRF:(Ivanov N.) > (2000-2004) > Effect of non-abrup...

  • Shtinkov, N.Faculty of Physics, Sofia Univ., 5 James Bourchier B., Sofia, Bulgaria (författare)

Effect of non-abrupt interfaces in AlAs/GaAs superlattices with embedded GaAs quantum wells

  • Artikel/kapitelEngelska2000

Förlag, utgivningsår, omfång ...

  • 2000
  • printrdacarrier

Nummerbeteckningar

  • LIBRIS-ID:oai:DiVA.org:liu-47608
  • https://urn.kb.se/resolve?urn=urn:nbn:se:liu:diva-47608URI
  • https://doi.org/10.1016/S0042-207X(00)00233-5DOI

Kompletterande språkuppgifter

  • Språk:engelska
  • Sammanfattning på:engelska

Ingår i deldatabas

Klassifikation

  • Ämneskategori:ref swepub-contenttype
  • Ämneskategori:art swepub-publicationtype

Anmärkningar

  • In the present paper, we investigate the effect of the non-abrupt interfaces on the electronic and optical properties of short-period AlAs/GaAs superlattices with embedded GaAs quantum wells. The lateral disorder and the component interdiffusion at the interfaces are averaged over the layer planes and are effectively represented by a diffusion concentration profile in the growth direction. The diffusion length LD is used as a parameter characterizing the degree of interface broadening. The electronic structure calculations are made using the sp3s* spin-dependent empirical tight-binding Hamiltonian, the virtual crystal approximation, and the surface Green function matching method. The dependencies of the lowest electron (E1), heavy hole (HH1), and light hole (LH1) bound states on the diffusion length are calculated for LD from 0 to 4 monolayers. It is found that the energies of the transitions (E1-HH1) and (E1-LH1) increase as LD increases. The results obtained are compared with photoluminescence data for MBE-grown samples. It is found that the degree of interface broadening depends on the growth temperature and on the sample geometry. The diffusion lengths calculated from the experimental data follow the expected trends, revealing a good qualitative agreement between theory and experiment.

Ämnesord och genrebeteckningar

  • TECHNOLOGY
  • TEKNIKVETENSKAP

Biuppslag (personer, institutioner, konferenser, titlar ...)

  • Donchev, V.Faculty of Physics, Sofia Univ., 5 James Bourchier B., Sofia, Bulgaria (författare)
  • Germanova, K.Faculty of Physics, Sofia Univ., 5 James Bourchier B., Sofia, Bulgaria (författare)
  • Vlaev, S.Escuela de Física, Univ. Auton. Zacatecas, 98068 Z., ZAC, Mexico (författare)
  • Ivanov, Ivan GueorguievLinköpings universitet,Tekniska högskolan,Halvledarmaterial(Swepub:liu)ivaiv28 (författare)
  • Faculty of Physics, Sofia Univ., 5 James Bourchier B., Sofia, BulgariaEscuela de Física, Univ. Auton. Zacatecas, 98068 Z., ZAC, Mexico (creator_code:org_t)

Sammanhörande titlar

  • Ingår i:Vacuum58:2, s. 561-5670042-207X1879-2715

Internetlänk

Hitta via bibliotek

  • Vacuum (Sök värdpublikationen i LIBRIS)

Till lärosätets databas

Hitta mer i SwePub

Av författaren/redakt...
Shtinkov, N.
Donchev, V.
Germanova, K.
Vlaev, S.
Ivanov, Ivan Gue ...
Artiklar i publikationen
Vacuum
Av lärosätet
Linköpings universitet

Sök utanför SwePub

Kungliga biblioteket hanterar dina personuppgifter i enlighet med EU:s dataskyddsförordning (2018), GDPR. Läs mer om hur det funkar här.
Så här hanterar KB dina uppgifter vid användning av denna tjänst.

 
pil uppåt Stäng

Kopiera och spara länken för att återkomma till aktuell vy