Reduction of the barrier height and enhancement of tunneling current of titanium contacts using embedded Au nano-particles on 4H and 6H silicon carbide

Lee, S. -K (författare)

Zetterling, Carl-Mikael (författare): KTH,Integrerade komponenter och kretsar

Åberg, I. (författare)

Magnusson, Martin (författare): Lund University,Lunds universitet,Fasta tillståndets fysik,Fysiska institutionen,Institutioner vid LTH,Lunds Tekniska Högskola,Solid State Physics,Department of Physics,Departments at LTH,Faculty of Engineering, LTH

Deppert, Knut (författare): Lund University,Lunds universitet,Fasta tillståndets fysik,Fysiska institutionen,Institutioner vid LTH,Lunds Tekniska Högskola,Solid State Physics,Department of Physics,Departments at LTH,Faculty of Engineering, LTH

Wernersson, Lars-Erik (författare): Lund University,Lunds universitet,Institutionen för elektro- och informationsteknik,Institutioner vid LTH,Lunds Tekniska Högskola,Fasta tillståndets fysik,Fysiska institutionen,Department of Electrical and Information Technology,Departments at LTH,Faculty of Engineering, LTH,Solid State Physics,Department of Physics,Faculty of Engineering, LTH

Samuelson, Lars (författare): Lund University,Lunds universitet,Fasta tillståndets fysik,Fysiska institutionen,Institutioner vid LTH,Lunds Tekniska Högskola,Solid State Physics,Department of Physics,Departments at LTH,Faculty of Engineering, LTH

Litwin, A. (författare)

(creator_code:org_t)

Trans Tech Publications Inc. 2002
2002
Engelska.
Ingår i: Materials Science Forum. - : Trans Tech Publications Inc.. - 0255-5476 .- 1662-9752. ; 389-393:2, s. 937-940

Relaterad länk:: http://www.scopus.co...; visa fler...; https://urn.kb.se/re...; https://lup.lub.lu.s...; visa färre...

Abstract Ämnesord

Stäng

We have investigated the electrical characteristics of Ti Schottky contacts with embedded Au nano-particles on various types of epilayers of SiC (4H- and 6H-SiC). From our current-voltage (I-V) and capacitance-voltage (C-V) measurements, we observed that Ti Schottky contacts with embedded Au nano-particles had 0.19 eV (n-4H-SiC) and 0.15 eV (n-6H-SiC) lower barrier height than those of particle free Ti Schottky contacts. In order to understand this reduction of the Schottky barrier height (SBH) for Ti Schottky contacts with embedded Au nano-particles, it has been proposed that SBH lowering is caused by an enhanced electric field due to the small size of the Au nano-particles and the large SBH difference. We have also tested these contacts on highly doped n-and p-type SiC material to study ohmic contacts using linear TLM measurements.

TEKNIK OCH TEKNOLOGIER -- Elektroteknik och elektronik -- Annan elektroteknik och elektronik (hsv//swe)
ENGINEERING AND TECHNOLOGY -- Electrical Engineering, Electronic Engineering, Information Engineering -- Other Electrical Engineering, Electronic Engineering, Information Engineering (hsv//eng)
NATURVETENSKAP -- Fysik -- Den kondenserade materiens fysik (hsv//swe)
NATURAL SCIENCES -- Physical Sciences -- Condensed Matter Physics (hsv//eng)
TEKNIK OCH TEKNOLOGIER -- Elektroteknik och elektronik (hsv//swe)
ENGINEERING AND TECHNOLOGY -- Electrical Engineering, Electronic Engineering, Information Engineering (hsv//eng)

Av författaren/redakt...: Lee, S. -K; Zetterling, Carl ...; Östling, Mikael; Åberg, I.; Magnusson, Marti ...; Deppert, Knut; visa fler...; Wernersson, Lars ...; Samuelson, Lars; Litwin, A.; visa färre...

Om ämnet

TEKNIK OCH TEKNOLOGIER: TEKNIK OCH TEKNO ...; och Elektroteknik oc ...; och Annan elektrotek ...

Kungliga biblioteket hanterar dina personuppgifter i enlighet med EU:s dataskyddsförordning (2018), GDPR. Läs mer om hur det funkar här.
Så här hanterar KB dina uppgifter vid användning av denna tjänst.