Reduction of the Schottky barrier height on silicon carbide using Au nano-particles

Lee, S. K. (författare)

Zetterling, Carl-Mikael (författare): KTH,Mikroelektronik och informationsteknik, IMIT

Östling, Mikael (författare): KTH,Mikroelektronik och informationsteknik, IMIT

Aberg, I. (författare)

Magnusson, Martin (författare): Lund University,Lunds universitet,Fasta tillståndets fysik,Fysiska institutionen,Institutioner vid LTH,Lunds Tekniska Högskola,Solid State Physics,Department of Physics,Departments at LTH,Faculty of Engineering, LTH

Deppert, Knut (författare): Lund University,Lunds universitet,Fasta tillståndets fysik,Fysiska institutionen,Institutioner vid LTH,Lunds Tekniska Högskola,Solid State Physics,Department of Physics,Departments at LTH,Faculty of Engineering, LTH

Wernersson, Lars-Erik (författare): Lund University,Lunds universitet,Institutionen för elektro- och informationsteknik,Institutioner vid LTH,Lunds Tekniska Högskola,Fasta tillståndets fysik,Fysiska institutionen,Department of Electrical and Information Technology,Departments at LTH,Faculty of Engineering, LTH,Solid State Physics,Department of Physics,Faculty of Engineering, LTH

Samuelson, Lars (författare): Lund University,Lunds universitet,Fasta tillståndets fysik,Fysiska institutionen,Institutioner vid LTH,Lunds Tekniska Högskola,Solid State Physics,Department of Physics,Departments at LTH,Faculty of Engineering, LTH

Litwin, A. (författare)

(creator_code:org_t)

2002
2002
Engelska.
Ingår i: Solid-State Electronics. - 0038-1101 .- 1879-2405. ; 46:9, s. 1433-1440

Relaterad länk:: http://dx.doi.org/10...; visa fler...; https://urn.kb.se/re...; https://doi.org/10.1...; https://lup.lub.lu.s...; visa färre...

Abstract Ämnesord

Stäng

By the incorporation of size-selected Au nano-particles in Ti Schottky contacts on silicon carbide, we could observe considerably lower the barrier height of the contacts. This result could be obtained for both n- and p-type Schottky contacts using current-voltage and capacitance voltage measurements. For n-type Schottky contacts, we observed reductions of 0.19-0.25 eV on 4H-SiC and 0.15-0.17 eV on 6H-SiC as compared with particle-free Ti Schottky contacts. For p-type SiC, the reduction was a little lower with 0.02-0.05 eV on 4H- and 0.10-0.13 eV on 6H-SiC. The reduction of the Schottky barrier height is explained using a model with enhanced electric field at the interface due to the small size of the circular patch and the large difference of the barrier height between Ti and Au.

NATURVETENSKAP -- Fysik -- Den kondenserade materiens fysik (hsv//swe)
NATURAL SCIENCES -- Physical Sciences -- Condensed Matter Physics (hsv//eng)
TEKNIK OCH TEKNOLOGIER -- Elektroteknik och elektronik (hsv//swe)
ENGINEERING AND TECHNOLOGY -- Electrical Engineering, Electronic Engineering, Information Engineering (hsv//eng)

Av författaren/redakt...: Lee, S. K.; Zetterling, Carl ...; Östling, Mikael; Aberg, I.; Magnusson, Marti ...; Deppert, Knut; visa fler...; Wernersson, Lars ...; Samuelson, Lars; Litwin, A.; visa färre...

Om ämnet

Kungliga biblioteket hanterar dina personuppgifter i enlighet med EU:s dataskyddsförordning (2018), GDPR. Läs mer om hur det funkar här.
Så här hanterar KB dina uppgifter vid användning av denna tjänst.