SwePub
Sök i LIBRIS databas

  Utökad sökning

WFRF:(Krieger Michael)
 

Sökning: WFRF:(Krieger Michael) > On the ion implanta...

On the ion implantation of phosphorus as a method for the passivation of states at the interface between 4H-SiC and SiO2 produced by thermal oxidation in dry oxygen

Mikhaylov, Aleksey I. (författare)
St. Petersburg State Electrotechnical University LETI, Russia
Afanasiev, A. V. (författare)
St. Petersburg State Electrotechnical University LETI, Russia
Ilyin, V. A. (författare)
St. Petersburg State Electrotechnical University LETI, Russia
visa fler...
Luchinin, Victor Victorovich (författare)
St. Petersburg State Electrotechnical University LETI, Russia
Reshanov, Sergey A. (författare)
Ascatron AB, Sweden
Krieger, Michael (författare)
Friedrich-Alexander-Universität Erlangen-Nurnberg, Germany
Schöner, Adolf (författare)
RISE,Acreo,Ascatron AB, Sweden
Sledziewski, Tomasz (författare)
Friedrich-Alexander-Universität Erlangen-Nurnberg, Germany
visa färre...
St Petersburg State Electrotechnical University LETI, Russia Ascatron AB, Sweden (creator_code:org_t)
Maik Nauka-Interperiodica Publishing, 2014
2014
Engelska.
Ingår i: Semiconductors (Woodbury, N.Y.). - : Maik Nauka-Interperiodica Publishing. - 1063-7826 .- 1090-6479. ; 48:12, s. 1581-1585
  • Tidskriftsartikel (refereegranskat)
Abstract Ämnesord
Stäng  
  • A method is suggested for reducing the density of surface states at the 4H-SiC/SiO2 interface by the implantation of phosphorus ions into a 4H-SiC epitaxial layer immediately before the growth of a gate insulator in an atmosphere of dry oxygen. A significant decrease in the density of surface states is observed at a phosphor-ion concentration at the SiO2/SiC interface exceeding 1018 cm−3. However, together with the passivation of surface states, the introduction of phosphorus ions leads to an increase in the built-in charge in the insulator and also slightly deteriorates the reliability of the gate insulator fabricated by this technique.

Publikations- och innehållstyp

ref (ämneskategori)
art (ämneskategori)

Hitta via bibliotek

Till lärosätets databas

Kungliga biblioteket hanterar dina personuppgifter i enlighet med EU:s dataskyddsförordning (2018), GDPR. Läs mer om hur det funkar här.
Så här hanterar KB dina uppgifter vid användning av denna tjänst.

 
pil uppåt Stäng

Kopiera och spara länken för att återkomma till aktuell vy