SwePub
Sök i LIBRIS databas

  Utökad sökning

WFRF:(Einfeldt S.)
 

Sökning: WFRF:(Einfeldt S.) > Phonons and free-ca...

  • Kasic, A. (författare)

Phonons and free-carrier properties of binary, ternary, and quaternary group-III nitride layers measured by infrared Spectroscopic Ellipsometry

  • Artikel/kapitelEngelska2003

Förlag, utgivningsår, omfång ...

  • 2003-08-27
  • Wiley,2003
  • printrdacarrier

Nummerbeteckningar

  • LIBRIS-ID:oai:DiVA.org:liu-46370
  • https://urn.kb.se/resolve?urn=urn:nbn:se:liu:diva-46370URI
  • https://doi.org/10.1002/pssc.200303135DOI

Kompletterande språkuppgifter

  • Språk:engelska
  • Sammanfattning på:engelska

Ingår i deldatabas

Klassifikation

  • Ämneskategori:vet swepub-contenttype
  • Ämneskategori:kon swepub-publicationtype

Anmärkningar

  • This work reviews recent ellipsometric investigations of the infrared dielectric functions of binary, ternary, and quaternary group-III nitride films. Spectroscopic Ellipsometry in the mid-infrared range is employed for the first time to determine phonon and free-carrier properties of individual group-III nitride heterostructure components, including layers of some ten nanometer thickness. Assuming the effective carrier mass, the free-carrier concentration and mobility parameters can be quantified upon model analysis of the infrared dielectric function. In combination with Hall-effect measurements, the effective carrier masses for wurtzite n- and p-type GaN and n-type InN are obtained. The mode behavior of both the E1(TO) and A1(LO) phonons are determined for ternary compounds. For strain-sensitive phonon modes, the composition and strain dependences of the phonon frequencies are differentiated and quantified. Information on the crystal quality and compositional homogeneity of the films can be extracted from the phonon mode broadening parameters. A comprehensive IR dielectric function database of group-III nitride materials has been established and can be used for the analysis of complex thin-film heterostructures designed for optoelectronic device applications. Information on concentration and mobility of free carriers, thickness, alloy composition, average strain state, and crystal quality of individual sample constituents can be derived. © 2003 WILEY-VCH Verlag GmbH & Co. KGaA, Weinheim.

Ämnesord och genrebeteckningar

  • TECHNOLOGY
  • TEKNIKVETENSKAP

Biuppslag (personer, institutioner, konferenser, titlar ...)

  • Schubert, M.Inst. f. Experimentelle Physik II, Universität Leipzig, Linnéstraße 5, 04103 Leipzig, Germany (författare)
  • Off, J.4. Physikalisches Institut, Universität Stuttgart, Pfaffenwaldring 57, 70569 Stuttgart, Germany, OSRAM Opto Semiconductors, Wernerwerkstr. 2, 93049 Regensburg, Germany (författare)
  • Kuhn, B.4. Physikalisches Institut, Universität Stuttgart, Pfaffenwaldring 57, 70569 Stuttgart, Germany, Robert Bosch GmbH, Tübinger Str. 123, 72762 Reutlingen, Germany (författare)
  • Scholz, F.4. Physikalisches Institut, Universität Stuttgart, Pfaffenwaldring 57, 70569 Stuttgart, Germany, Abteilung Optoelektronik, Universität Ulm, 89069 Ulm, Germany (författare)
  • Einfeldt, S.Inst. für Festkörperphysik, Universität Bremen, Kufsteiner Straße NW 1, 28359 Bremen, Germany (författare)
  • Bottcher, T.Böttcher, T., Inst. für Festkörperphysik, Universität Bremen, Kufsteiner Straße NW 1, 28359 Bremen, Germany (författare)
  • Hommel, D.Inst. für Festkörperphysik, Universität Bremen, Kufsteiner Straße NW 1, 28359 Bremen, Germany (författare)
  • As, D.J.Fachbereich Physik, Universität Paderborn, Warburger Straße 100, 33095 Paderborn, Germany (författare)
  • Kohler, U.Köhler, U., Fachbereich Physik, Universität Paderborn, Warburger Straße 100, 33095 Paderborn, Germany (författare)
  • Dadgar, A.Inst. für Experimentelle Physik, Otto-von Guericke Univ. Magdeburg, Universitätsplatz 2, 39016 Magdeburg, Germany (författare)
  • Krost, A.Inst. für Experimentelle Physik, Otto-von Guericke Univ. Magdeburg, Universitätsplatz 2, 39016 Magdeburg, Germany (författare)
  • Saito, Y.Faculty of Science and Engineering, Ritsumeikan University, 1-1-1 Noji-Higashi, Kusatsu, Shiga 525-8577, Japan (författare)
  • Nanishi, Y.Faculty of Science and Engineering, Ritsumeikan University, 1-1-1 Noji-Higashi, Kusatsu, Shiga 525-8577, Japan (författare)
  • Correia, M.R.Departamento de Física, Universidade de Aveiro, 3810-193 Aveiro, Portugal (författare)
  • Pereira, S.Departamento de Física, Universidade de Aveiro, 3810-193 Aveiro, Portugal (författare)
  • Darakchieva, VanyaLinköpings universitet,Tekniska högskolan,Halvledarmaterial(Swepub:liu)vanda79 (författare)
  • Monemar, BoLinköpings universitet,Tekniska högskolan,Halvledarmaterial(Swepub:liu)bomo46 (författare)
  • Amano, H.High-Tech Research Center, Dept. of Mat. Sci. and Engineering, Meijo University, 1-501 Shiogamaguchi, Tempaku-ku, Nagoya 468-8502, Japan (författare)
  • Akasaki, I.High-Tech Research Center, Dept. of Mat. Sci. and Engineering, Meijo University, 1-501 Shiogamaguchi, Tempaku-ku, Nagoya 468-8502, Japan (författare)
  • Wagner, G.Inst. f. Nichtklassische Chemie, Universität Leipzig, Permoserstraße 15, 04318 Leipzig, Germany (författare)
  • Inst. f. Experimentelle Physik II, Universität Leipzig, Linnéstraße 5, 04103 Leipzig, Germany4. Physikalisches Institut, Universität Stuttgart, Pfaffenwaldring 57, 70569 Stuttgart, Germany, OSRAM Opto Semiconductors, Wernerwerkstr. 2, 93049 Regensburg, Germany (creator_code:org_t)

Sammanhörande titlar

  • Ingår i:Physica Status Solidi. C, Current topics in solid state physics: Wiley0:6 SPEC. ISS., s. 1750-17691610-16341610-1642

Internetlänk

Hitta via bibliotek

Till lärosätets databas

Kungliga biblioteket hanterar dina personuppgifter i enlighet med EU:s dataskyddsförordning (2018), GDPR. Läs mer om hur det funkar här.
Så här hanterar KB dina uppgifter vid användning av denna tjänst.

 
pil uppåt Stäng

Kopiera och spara länken för att återkomma till aktuell vy