Effects of External Fields on the Excitonic Emission from Single InAs/GaAs Quantum Dots

↓ Direkt till sidans innehåll
↓ Direkt till sidans sekundära innehåll (sidomenyn)

Sökning: WFRF:(Moskalenko Evgenii) > Effects of External...

LIBRIS Formathandbok (Information om MARC21)

Fältnamn	Indikatorer	Metadata
000		02570naa a2200361 4500
001		oai:DiVA.org:liu-39927
003		SwePub
008		091010s2008 \| \|\|\|\|\|\|\|\|\|\|\|000 \|\|eng\|
024	7	a https://urn.kb.se/resolve?urn=urn:nbn:se:liu:diva-399272 URI
024	7	a https://doi.org/10.1016/j.mejo.2007.07.0072 DOI
040		a (SwePub)liu
041		a engb eng
042		9 SwePub
072	7	a ref2 swepub-contenttype
072	7	a kon2 swepub-publicationtype
100	1	a Holtz, Per-Olof,d 1951-u Linköpings universitet,Tekniska högskolan,Halvledarmaterial4 aut0 (Swepub:liu)perho67
245	1 0	a Effects of External Fields on the Excitonic Emission from Single InAs/GaAs Quantum Dots
264	1	a Microelectronics Journal :b Elsevier,c 2008
338		a print2 rdacarrier
500		a in press
520		a A low-temperature micro-photoluminescence (μ-PL) investigation of InAs/GaAs quantum dots (QDs) exposed to a lateral external electric field is reported. It is demonstrated that the QDs PL signal could be increased several times by altering the external and/or the internal electric field. The internal field in the vicinity of the dots could be altered by means of an additional infra-red laser. We propose a model, which is based on an essentially faster lateral transport of the charge carriers achieved in an external electric field. Consequently, also the capture probability into the dots and subsequently the dot luminescence is also enhanced. The results obtained suggest that the lateral electric fields play a major role for the dot luminescence intensity measured in our experiment.
653		a NATURAL SCIENCES
653		a NATURVETENSKAP
700	1	a Moskalenko, Evgenii,d 2000-u Linköpings universitet,Tekniska högskolan,Institutionen för fysik, kemi och biologi4 aut0 (Swepub:liu)evgmo15
700	1	a Larsson, Mats,d 1976-u Linköpings universitet,Tekniska högskolan,Halvledarmaterial4 aut0 (Swepub:liu)matla70
700	1	a Karlsson, Fredrik,d 1974-u Linköpings universitet,Tekniska högskolan,Halvledarmaterial4 aut0 (Swepub:liu)freka74
700	1	a Schoenfeld, W.V.4 aut
700	1	a Petroff, P.M.4 aut
710	2	a Linköpings universitetb Tekniska högskolan4 org
773	0	t Microelectronics Journal, Vol. 39d Microelectronics Journal : Elsevierg , s. 331-334q <331-334
773	0	t Microelectronics Journald Microelectronics Journal : Elsevierg , s. 331-334q <331-334x 0026-2692
856	4 8	u https://urn.kb.se/resolve?urn=urn:nbn:se:liu:diva-39927
856	4 8	u https://doi.org/10.1016/j.mejo.2007.07.007

Hitta via bibliotek

Microelectronics Journal, Vol. 39 (Sök värdpublikationen i LIBRIS)

Till lärosätets databas

Hitta mer i SwePub

Av författaren/redakt...: Holtz, Per-Olof, ...; Moskalenko, Evge ...; Larsson, Mats, 1 ...; Karlsson, Fredri ...; Schoenfeld, W.V.; Petroff, P.M.

Artiklar i publikationen: Microelectronics ...; Microelectronics ...

Av lärosätet: Linköpings universitet

Sök utanför SwePub

Sök vidare i:: Google; Google Book Search; Google Scholar

Kungliga biblioteket hanterar dina personuppgifter i enlighet med EU:s dataskyddsförordning (2018), GDPR. Läs mer om hur det funkar här.
Så här hanterar KB dina uppgifter vid användning av denna tjänst.

LIBRIS.kb.se