Epitaxial Graphene on 4H-SiC (0001) as a Versatile Platform for Materials Growth: Mini-Review

↓ Direkt till sidans innehåll
↓ Direkt till sidans sekundära innehåll (sidomenyn)

Sökning: WFRF:(Shtepliuk Ivan) > Epitaxial Graphene ...

Shtepliuk, IvanLinköpings universitet,Halvledarmaterial,Tekniska fakulteten (författare)

Epitaxial Graphene on 4H-SiC (0001) as a Versatile Platform for Materials Growth : Mini-Review

Artikel/kapitelEngelska2021

Förlag, utgivningsår, omfång ...

2021-06-22
MDPI,2021
electronicrdacarrier

Nummerbeteckningar

LIBRIS-ID:oai:DiVA.org:liu-179975
https://urn.kb.se/resolve?urn=urn:nbn:se:liu:diva-179975URI
https://doi.org/10.3390/app11135784DOI

Kompletterande språkuppgifter

Språk:engelska
Sammanfattning på:engelska

Ingår i deldatabas

SwePubSwePub

Klassifikation

Ämneskategori:ref swepub-contenttype
Ämneskategori:for swepub-publicationtype

Anmärkningar

Funding Agencies|Angpanneforeningens Forskningsstiftelse [16-541, 21-112]; VR grant [2018-04962]; SSFSwedish Foundation for Strategic Research [RMA 15-0024]; MIURMinistry of Education, Universities and Research (MIUR)
Material growth on a dangling-bond-free interface such as graphene is a challenging technological task, which usually requires additional surface pre-treatment steps (functionalization, seed layer formation) to provide enough reactive sites. Being one of the most promising and adaptable graphene-family materials, epitaxial graphene on SiC, due to its internal features (substrate-induced n-doping, compressive strain, terrace-stepped morphology, bilayer graphene nano-inclusions), may provide pre-conditions for the enhanced binding affinity of environmental species, precursor molecules, and metal atoms on the topmost graphene layer. It makes it possible to use untreated pristine epitaxial graphene as a versatile platform for the deposition of metals and insulators. This mini-review encompasses relevant aspects of magnetron sputtering and electrodeposition of selected metals (Au, Ag, Pb, Hg, Cu, Li) and atomic layer deposition of insulating Al2O3 layers on epitaxial graphene on 4H-SiC, focusing on understanding growth mechanisms. Special deliberation has been given to the effect of the deposited materials on the epitaxial graphene quality. The generalization of the experimental and theoretical results presented here is hopefully an important step towards new electronic devices (chemiresistors, Schottky diodes, field-effect transistors) for environmental sensing, nano-plasmonics, and biomedical applications.

Ämnesord och genrebeteckningar

TEKNIK OCH TEKNOLOGIER Materialteknik Annan materialteknik hsv//swe
ENGINEERING AND TECHNOLOGY Materials Engineering Other Materials Engineering hsv//eng
epitaxial graphene; SiC; deposition; metals; insulators; growth mechanism

Biuppslag (personer, institutioner, konferenser, titlar ...)

Giannazzo, FilippoCNR IMM, Italy (författare)
Yakimova, RositsaLinköpings universitet,Halvledarmaterial,Tekniska fakulteten(Swepub:liu)rosia15 (författare)
Linköpings universitetHalvledarmaterial (creator_code:org_t)

Sammanhörande titlar

Ingår i:Applied Sciences: MDPI11:132076-3417

Internetlänk

Hitta via bibliotek

Applied Sciences (Sök värdpublikationen i LIBRIS)

Till lärosätets databas

Hitta mer i SwePub

Av författaren/redakt...: Shtepliuk, Ivan; Giannazzo, Filip ...; Yakimova, Rosits ...

Om ämnet

TEKNIK OCH TEKNOLOGIER: TEKNIK OCH TEKNO ...; och Materialteknik; och Annan materialte ...

Artiklar i publikationen: Applied Sciences

Av lärosätet: Linköpings universitet

Sök utanför SwePub

Sök vidare i:: Google; Google Book Search; Google Scholar

Kungliga biblioteket hanterar dina personuppgifter i enlighet med EU:s dataskyddsförordning (2018), GDPR. Läs mer om hur det funkar här.
Så här hanterar KB dina uppgifter vid användning av denna tjänst.

LIBRIS.kb.se