L773:0255 5476 OR L773:1662 9752 OR L773:9783038354789
Sökning: L773:0255 5476 OR L773:1662 9752 OR L773:9783038354789 > (2010-2014) > 3C-SiC MOSFET with ...
- 41 av 83
- Föregående post
- Nästa post
- Till träfflistan
3C-SiC MOSFET with High Channel Mobility and CVD Gate Oxide
- Kobayashi, M. (författare)
- Uchida, H. (författare)
- Minami, A. (författare)
- visa fler...
- Sakata, A. (författare)
- Esteve, Romain (författare)
- Schöner, A. (författare)
- visa färre...
- 2011
- 2011
- Engelska.
- Ingår i: Materials Science Forum. - 0255-5476 .- 1662-9752. ; 679-680, s. 645-648
- Tidskriftsartikel (refereegranskat)
Abstract
Ämnesord
Stäng
- 3C-SiC MOSFET with 200 cm2/Vs channel mobility was fabricated. High performance device processes were adopted, including room temperature implantation with resist mask, polysilicon-metal gates, aluminium interconnects with titanium and titanium nitride and a specially developed activation anneal at 1600°C in Ar to get a smooth 3C-SiC surface and hence the expected high channel mobility. CVD deposited oxide with post oxidation annealing was investigated to reduce unwanted oxide charges and hence to get a better gate oxide integrity compared to thermally grown oxides. 3C-SiC MOSFETs with 600 V blocking voltage and 10 A drain current were fabricated using the improved processes described above. The MOSFETs assembled with TO-220 PKG indicated specific on-resistances of 5 to 7 mΩcm2.
Nyckelord
- 3C-SiC
- Capacitance-Voltage Characteristics
- Channel Mobility
- CVD Deposited Oxide
- MOSFET
- On Resistance
- Post Oxidation Annealing
- TZDB
Publikations- och innehållstyp
- ref (ämneskategori)
- art (ämneskategori)
Hitta via bibliotek
- Materials Science Forum (Sök värdpublikationen i LIBRIS)
Till lärosätets databas
- 41 av 83
- Föregående post
- Nästa post
- Till träfflistan
Hitta mer i SwePub
- Av författaren/redakt...
- Kobayashi, M.
- Uchida, H.
- Minami, A.
- Sakata, A.
- Esteve, Romain
- Schöner, A.
- Artiklar i publikationen
- Materials Scienc ...
- Av lärosätet
- Kungliga Tekniska Högskolan
Sök utanför SwePub
- Sök vidare i:
- Google Book Search
- Google Scholar
Kungliga biblioteket hanterar dina personuppgifter i enlighet med EU:s dataskyddsförordning (2018), GDPR. Läs mer om hur det funkar här.
Så här hanterar KB dina uppgifter vid användning av denna tjänst.
- Copyright © LIBRIS - Nationella bibliotekssystem
- LIBRIS.kb.se
