Sökning: L773:0255 5476 OR L773:1662 9752 OR L773:9783038354789 >
Current gain depend...
Current gain dependence on emitter width in 4H-SiC BJTs
-
- Domeij, Martin (författare)
- KTH,Mikroelektronik och Informationsteknik, IMIT
-
- Lee, Hyung-Seok (författare)
- KTH,Mikroelektronik och Informationsteknik, IMIT
-
- Zetterling, Carl-Mikael (författare)
- KTH,Mikroelektronik och Informationsteknik, IMIT
-
visa fler...
-
- Östling, Mikael (författare)
- KTH,Mikroelektronik och Informationsteknik, IMIT
-
Schoner, A. (författare)
-
visa färre...
-
(creator_code:org_t)
- Trans Tech Publications Inc. 2006
- 2006
- Engelska.
-
Ingår i: Materials Science Forum. - : Trans Tech Publications Inc.. - 0255-5476 .- 1662-9752. - 9780878494255 ; 527-529, s. 1425-1428
- Relaterad länk:
-
https://urn.kb.se/re...
-
visa fler...
-
https://doi.org/10.4...
-
visa färre...
Abstract
Ämnesord
Stäng
- This paper reports the fabrication of epitaxial 4H-SiC bipolar junction transistors (BJTs) with a maximum current gain beta = 64 and a breakdown voltage of 1100 V. The high beta value is attributed to high material quality obtained after a continuous epitaxial growth of the base-emitter junction. The current gain of the BJTs increases with increasing emitter width indicating a significant influence of surface recombination. This "emitter-size" effect is in good agreement with device simulations including recombination in interface states at the etched termination of the base-emitter junction.
Ämnesord
- TEKNIK OCH TEKNOLOGIER -- Elektroteknik och elektronik -- Annan elektroteknik och elektronik (hsv//swe)
- ENGINEERING AND TECHNOLOGY -- Electrical Engineering, Electronic Engineering, Information Engineering -- Other Electrical Engineering, Electronic Engineering, Information Engineering (hsv//eng)
Nyckelord
- bipolar junction transistor
- surface recombination
- emitter-size effect
- current gain
- device simulation
Publikations- och innehållstyp
- ref (ämneskategori)
- art (ämneskategori)
Hitta via bibliotek
Till lärosätets databas