Sökning: L773:0040 6090 > Light emitting SiGe...
Fältnamn | Indikatorer | Metadata |
---|---|---|
000 | 02218naa a2200325 4500 | |
001 | oai:DiVA.org:liu-47623 | |
003 | SwePub | |
008 | 091011s2000 | |||||||||||000 ||eng| | |
024 | 7 | a https://urn.kb.se/resolve?urn=urn:nbn:se:liu:diva-476232 URI |
024 | 7 | a https://doi.org/10.1016/S0040-6090(00)00903-22 DOI |
040 | a (SwePub)liu | |
041 | a engb eng | |
042 | 9 SwePub | |
072 | 7 | a ref2 swepub-contenttype |
072 | 7 | a art2 swepub-publicationtype |
100 | 1 | a Ni, Wei-Xinu Linköpings universitet,Tekniska högskolan,Yt- och Halvledarfysik4 aut0 (Swepub:liu)weini41 |
245 | 1 0 | a Light emitting SiGe/i-Si/Si :b Er |
264 | 1 | c 2000 |
338 | a print2 rdacarrier | |
520 | a p+-SiGe/i-Si/n-Si:Er:O/n+-Si tunneling diodes have been processed using layer structures prepared by molecular beam epitaxy (MBE). Electroluminescence has been observed at room temperature from these devices at reverse bias. The devices have been used for characterizing the optical activation of Er3+ ions in MBE Si:Er:O layers grown at different conditions. In the range of 400-575 °C, a high substrate temperature is favored for formation of Er emission centers, but this is limited by the silicidation process occurring above 600 °C. Several important device parameters such as the impact excitation cross section and various EL decay processes have been carefully studied. A fast decay (approximately 4 µs) due to the Auger carrier transfer process is observed. | |
653 | a TECHNOLOGY | |
653 | a TEKNIKVETENSKAP | |
700 | 1 | a Du, Chun-Xiau Linköpings universitet,Tekniska högskolan,Institutionen för fysik, kemi och biologi4 aut0 (Swepub:liu)chudu39 |
700 | 1 | a Duteil, F.4 aut |
700 | 1 | a Pozina, Galiau Linköpings universitet,Tekniska högskolan,Halvledarmaterial4 aut0 (Swepub:liu)galpo50 |
700 | 1 | a Hansson, Göranu Linköpings universitet,Tekniska högskolan,Yt- och Halvledarfysik4 aut0 (Swepub:liu)gorha51 |
710 | 2 | a Linköpings universitetb Tekniska högskolan4 org |
773 | 0 | t Thin Solid Filmsg 369:1, s. 414-418q 369:1<414-418x 0040-6090x 1879-2731 |
856 | 4 8 | u https://urn.kb.se/resolve?urn=urn:nbn:se:liu:diva-47623 |
856 | 4 8 | u https://doi.org/10.1016/S0040-6090(00)00903-2 |
Kungliga biblioteket hanterar dina personuppgifter i enlighet med EU:s dataskyddsförordning (2018), GDPR. Läs mer om hur det funkar här.
Så här hanterar KB dina uppgifter vid användning av denna tjänst.
Kopiera och spara länken för att återkomma till aktuell vy