WFRF:(Samuelson L.)
Sökning: WFRF:(Samuelson L.) > Vertical high mobil...
- 48 av 128
- Föregående post
- Nästa post
- Till träfflistan
- Bryllert, TomasLund University,Lunds universitet,Fasta tillståndets fysik,Fysiska institutionen,Institutioner vid LTH,Lunds Tekniska Högskola,Solid State Physics,Department of Physics,Departments at LTH,Faculty of Engineering, LTH (författare)
Vertical high mobility wrap-gated InAs nanowire transistor
- Artikel/kapitelEngelska2005
Förlag, utgivningsår, omfång ...
- 2005
- 2 s.
Nummerbeteckningar
- LIBRIS-ID:oai:lup.lub.lu.se:a5c5b9c9-20b3-46c4-a73d-6818658c2336
- https://lup.lub.lu.se/record/616176URI
- https://doi.org/10.1109/DRC.2005.1553100DOI
Kompletterande språkuppgifter
- Språk:engelska
- Sammanfattning på:engelska
Ingår i deldatabas
- SwePubSwePub
Klassifikation
Anmärkningar
- We demonstrate a wrap-gated field effect transistor based on a matrix of vertically standing InAs nanowires (Jensen, et. al., 2004). A lower limit of the mobility, derived from the transconductance, is on the order of 3000 cm2/Vs. The narrow ~100 nm channels show excellent current saturation and a threshold of Vg = -0.15 V. The sub-threshold characteristics show a close to ideal slope of 62mV/decade over two orders of magnitude
Ämnesord och genrebeteckningar
- TEKNIK OCH TEKNOLOGIER Elektroteknik och elektronik hsv//swe
- ENGINEERING AND TECHNOLOGY Electrical Engineering, Electronic Engineering, Information Engineering hsv//eng
- NATURVETENSKAP Fysik Den kondenserade materiens fysik hsv//swe
- NATURAL SCIENCES Physical Sciences Condensed Matter Physics hsv//eng
- wrap gated field effect transistor
- transconductance
- current saturation
- sub threshold characteristics
- InAs
- -0.15 V
- high mobility
- nanowire transistor
Biuppslag (personer, institutioner, konferenser, titlar ...)
- Samuelson, LarsLund University,Lunds universitet,Fasta tillståndets fysik,Fysiska institutionen,Institutioner vid LTH,Lunds Tekniska Högskola,Solid State Physics,Department of Physics,Departments at LTH,Faculty of Engineering, LTH(Swepub:lu)ftf-lsa (författare)
- Jensen, L (författare)
- Wernersson, Lars-ErikLund University,Lunds universitet,Institutionen för elektro- och informationsteknik,Institutioner vid LTH,Lunds Tekniska Högskola,Fasta tillståndets fysik,Fysiska institutionen,Department of Electrical and Information Technology,Departments at LTH,Faculty of Engineering, LTH,Solid State Physics,Department of Physics,Faculty of Engineering, LTH(Swepub:lu)ftf-lwe (författare)
- Fasta tillståndets fysikFysiska institutionen (creator_code:org_t)
Sammanhörande titlar
- Ingår i:63rd Device Research Conference Digest, 2005. DRC '0510780390407
Internetlänk
Hitta via bibliotek
- 63rd Device Research Conference Digest, 2005. DRC '05 (Sök värdpublikationen i LIBRIS)
Till lärosätets databas
- 48 av 128
- Föregående post
- Nästa post
- Till träfflistan
Hitta mer i SwePub
- Av författaren/redakt...
- Bryllert, Tomas
- Samuelson, Lars
- Jensen, L
- Wernersson, Lars ...
- Om ämnet
-
- TEKNIK OCH TEKNOLOGIER
- TEKNIK OCH TEKNO ...
- och Elektroteknik oc ...
-
- NATURVETENSKAP
- NATURVETENSKAP
- och Fysik
- och Den kondenserade ...
- Artiklar i publikationen
- 63rd Device Rese ...
- Av lärosätet
- Lunds universitet
Sök utanför SwePub
- Sök vidare i:
- Google Book Search
- Google Scholar
Kungliga biblioteket hanterar dina personuppgifter i enlighet med EU:s dataskyddsförordning (2018), GDPR. Läs mer om hur det funkar här.
Så här hanterar KB dina uppgifter vid användning av denna tjänst.
- Copyright © LIBRIS - Nationella bibliotekssystem
- LIBRIS.kb.se
