SwePub
Sök i LIBRIS databas

  Utökad sökning

WFRF:(Nee Hans Peter 1963 )
 

Sökning: WFRF:(Nee Hans Peter 1963 ) > Simulation Study of...

Simulation Study of the Effect of Threshold Voltage Hysteresis on Switching Characteristics of SiC MOSFETs

Cai, Yumeng (författare)
State Key Laboratory of Alternate Electrical Power System with Renewable Energy Sources (North China Electric Power University), China
Xu, Hao (författare)
State Key Laboratory of Alternate Electrical Power System with Renewable Energy Sources (North China Electric Power University), China
Sun, Peng (författare)
State Key Laboratory of Alternate Electrical Power System with Renewable Energy Sources (North China Electric Power University), China
visa fler...
Deng, Erping (författare)
Hefei University of Technology, China
Zhao, Zhibin (författare)
State Key Laboratory of Alternate Electrical Power System with Renewable Energy Sources (North China Electric Power University), China
Li, Xuebao (författare)
State Key Laboratory of Alternate Electrical Power System with Renewable Energy Sources (North China Electric Power University), China
Nee, Hans-Peter, 1963- (författare)
KTH,Elkraftteknik
visa färre...
 (creator_code:org_t)
Mesago PCIM GmbH, 2023
2023
Engelska.
Ingår i: International Exhibition and Conference for Power Electronics, Intelligent Motion, Renewable Energy and Energy Management, PCIM Europe 2023. - : Mesago PCIM GmbH. ; , s. 212-216
  • Konferensbidrag (refereegranskat)
Abstract Ämnesord
Stäng  
  • The effect of VTH hysteresis on switching characteristics of SiC MOSFETs is investigated by TCAD in this paper. A device-circuit mixed-mode simulation model is built to simulate VTH hysteresis. The result illustrates that VTH hysteresis decreases VTH and increases channel mobility, which leads to earlier turn-on and larger ID. Moreover, the higher the interface state density (Dit) is, the more obvious the transient effect. However, ID remains unchanged with VTH hysteresis and it decreases with higher Dit without considering VTH hysteresis. Therefore, the VTH hysteresis is beneficial and the findings can be useful for distributing Dit when modeling the chip process.

Ämnesord

TEKNIK OCH TEKNOLOGIER  -- Elektroteknik och elektronik -- Annan elektroteknik och elektronik (hsv//swe)
ENGINEERING AND TECHNOLOGY  -- Electrical Engineering, Electronic Engineering, Information Engineering -- Other Electrical Engineering, Electronic Engineering, Information Engineering (hsv//eng)

Publikations- och innehållstyp

ref (ämneskategori)
kon (ämneskategori)

Till lärosätets databas

Hitta mer i SwePub

Av författaren/redakt...
Cai, Yumeng
Xu, Hao
Sun, Peng
Deng, Erping
Zhao, Zhibin
Li, Xuebao
visa fler...
Nee, Hans-Peter, ...
visa färre...
Om ämnet
TEKNIK OCH TEKNOLOGIER
TEKNIK OCH TEKNO ...
och Elektroteknik oc ...
och Annan elektrotek ...
Artiklar i publikationen
Av lärosätet
Kungliga Tekniska Högskolan

Sök utanför SwePub

Kungliga biblioteket hanterar dina personuppgifter i enlighet med EU:s dataskyddsförordning (2018), GDPR. Läs mer om hur det funkar här.
Så här hanterar KB dina uppgifter vid användning av denna tjänst.

 
pil uppåt Stäng

Kopiera och spara länken för att återkomma till aktuell vy