SwePub
Sök i LIBRIS databas

  Utökad sökning

WFRF:(Ivanov Ivan Gueorguiev)
 

Sökning: WFRF:(Ivanov Ivan Gueorguiev) > (2010-2014) > Ionization energy o...

  • Ivanov, Ivan GueorguievLinköpings universitet,Halvledarmaterial,Tekniska högskolan (författare)

Ionization energy of the phosphorus donor in 3C-SiC from the donor-acceptor pair emission

  • Artikel/kapitelEngelska2010

Förlag, utgivningsår, omfång ...

  • American Institute of Physics,2010
  • electronicrdacarrier

Nummerbeteckningar

  • LIBRIS-ID:oai:DiVA.org:liu-60887
  • https://urn.kb.se/resolve?urn=urn:nbn:se:liu:diva-60887URI
  • https://doi.org/10.1063/1.3487480DOI

Kompletterande språkuppgifter

  • Språk:engelska
  • Sammanfattning på:engelska

Ingår i deldatabas

Klassifikation

  • Ämneskategori:ref swepub-contenttype
  • Ämneskategori:art swepub-publicationtype

Anmärkningar

  • Original Publication: Ivan Gueorguiev Ivanov, Anne Henry, Fei Yan, W J Choyke and Erik Janzén, Ionization energy of the phosphorus donor in 3C-SiC from the donor-acceptor pair emission, 2010, JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, (108), 6, 063532. http://dx.doi.org/10.1063/1.3487480 Copyright: American Institute of Physics http://www.aip.org/
  • Donor-acceptor pair luminescence of P-Al and N-Al pairs in 3C-SiC is analyzed. The structures in the spectra corresponding to recombination of pairs at intermediate distances are fitted with theoretical spectra of type I (P-Al pairs) and type II (N-Al pairs). It is shown that in the regions chosen for fitting the line positions obey the equation (h) over bar omega(R)=E-G-E-D-E-A+e(2)/epsilon R, where (h) over bar omega(R) is the energy of the photon emitted by recombination of a pair at a distance R, e is the electron charge, epsilon is the static dielectric constant, and E-G, E-D, and E-A are the electronic band gap and the donor and acceptor ionization energies, respectively. The fits yield the values E-G-E-D-E-A for the N-Al (2094 meV) and P-Al (2100.1 meV) cases. Using the known value of the nitrogen ionization energy, 54.2 meV, phosphorus ionization energy of 48.1 meV is obtained. Identification of the sharp lines corresponding to recombination of close pairs in the P-Al spectrum is suggested.

Ämnesord och genrebeteckningar

  • aluminium
  • energy gap
  • nitrogen
  • phosphorus
  • silicon compounds
  • wide band gap semiconductors
  • TECHNOLOGY
  • TEKNIKVETENSKAP

Biuppslag (personer, institutioner, konferenser, titlar ...)

  • Henry, AnneLinköpings universitet,Halvledarmaterial,Tekniska högskolan(Swepub:liu)annhe32 (författare)
  • Yan, FeiUniversity of Pittsburgh (författare)
  • Choyke, W JUniversity of Pittsburgh (författare)
  • Janzén, ErikLinköpings universitet,Halvledarmaterial,Tekniska högskolan(Swepub:liu)erija14 (författare)
  • Linköpings universitetHalvledarmaterial (creator_code:org_t)

Sammanhörande titlar

  • Ingår i:JOURNAL OF APPLIED PHYSICS: American Institute of Physics108:6, s. 063532-0021-89791089-7550

Internetlänk

Hitta via bibliotek

Till lärosätets databas

Sök utanför SwePub

Kungliga biblioteket hanterar dina personuppgifter i enlighet med EU:s dataskyddsförordning (2018), GDPR. Läs mer om hur det funkar här.
Så här hanterar KB dina uppgifter vid användning av denna tjänst.

 
pil uppåt Stäng

Kopiera och spara länken för att återkomma till aktuell vy